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龙图腾网获悉堺显示器制品株式会社申请的专利薄膜晶体管及其制造方法以及显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112071915B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010224348.4，技术领域涉及：H10D30/67；该发明授权薄膜晶体管及其制造方法以及显示装置是由大田裕之设计研发完成，并于2020-03-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本薄膜晶体管及其制造方法以及显示装置在说明书摘要公布了：本发明的薄膜晶体管的上部绝缘层包含：第一边缘区域，其位于栅极电极的第一侧面部的附近，且其距氧化物半导体层的上表面的高度小于栅极电极的上表面的高度；以及第二边缘区域，其位于栅极电极的第二侧面部的附近，且其距氧化物半导体层的上表面的高度小于栅极电极的上表面的高度，上部绝缘层具有多孔质绝缘体层，多孔质绝缘体层包含有配置于第一边缘区域的第一部分和配置于第二边缘区域的第二部分，多孔质绝缘体层的第一部分与氧化物半导体层的第一区域的至少一部分接触，多孔质绝缘体层的第二部分与氧化物半导体层的第二区域的至少一部分接触。

本发明授权薄膜晶体管及其制造方法以及显示装置在权利要求书中公布了：1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括： 基板； 氧化物半导体层,其由所述基板支承，并包含第一区域、第二区域以及位于所述第一区域和所述第二区域之间的沟道区域； 栅极电极，其隔着栅极绝缘层配置在所述氧化物半导体层的所述沟道区域上； 上部绝缘层，其覆盖所述氧化物半导体层、所述栅极绝缘层和所述栅极电极； 源极电极，配置在所述上部绝缘层上，并与所述氧化物半导体层的所述第一区域电连接；以及 漏极电极，配置在所述上部绝缘层上，并与所述氧化物半导体层的所述第二区域电连接， 所述栅极电极从所述基板的法线方向观察时，与所述氧化物半导体层的所述沟道区域重叠而与所述第一区域和所述第二区域不重叠， 从所述基板的法线方向观察时，所述栅极电极的侧面具有第一侧面部和第二侧面部，所述第一侧面部位于所述第一区域侧，并且与所述氧化物半导体层重叠，所述第二侧面部位于所述第二区域侧，并且，与所述氧化物半导体层重叠， 所述上部绝缘层包含： 第一边缘区域，从所述基板的法线方向观察时，其位于所述栅极电极的所述第一侧面部的附近，并且，所述第一边缘区域距所述氧化物半导体层的上表面的高度小于所述栅极电极的上表面的高度；以及 第二边缘区域，从所述基板的法线方向观察时，其位于所述栅极电极的所述第二侧面部的附近，并且，所述第二边缘区域距所述氧化物半导体层的上表面的高度小于所述栅极电极的上表面的高度， 所述氧化物半导体层的所述第一区域在表面上具有电阻率小于所述沟道区域的第一低电阻区域，所述氧化物半导体层的所述第二区域在表面上具有电阻率小于所述沟道区域的第二低电阻区域， 所述上部绝缘层具有作为最下层的还原性的绝缘膜、多孔质绝缘体层以及配置在所述多孔质绝缘体层上的非多孔质绝缘体层，所述绝缘膜用于降低所述第一低电阻区域和所述第二低电阻区域的电阻率，所述多孔质绝缘体层包含有配置于所述第一边缘区域的第一部分和配置于所述第二边缘区域的第二部分， 所述绝缘膜中位于所述第一边缘区域和所述第二边缘区域的部分被去除，所述多孔质绝缘体层的所述第一部分与所述氧化物半导体层的所述第一区域的至少一部分接触，所述多孔质绝缘体层的所述第二部分与所述氧化物半导体层的所述第二区域的至少一部分接触。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人堺显示器制品株式会社，其通讯地址为：日本国大阪府堺市堺区匠町1番地；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。