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君泰创新(北京)科技有限公司郁操获国家专利权

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龙图腾网获悉君泰创新(北京)科技有限公司申请的专利一种异质结电池片的返工方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN111384186B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:201811624324.7,技术领域涉及:H10F77/20;该发明授权一种异质结电池片的返工方法是由郁操;刘春梅设计研发完成,并于2018-12-28向国家知识产权局提交的专利申请。

一种异质结电池片的返工方法在说明书摘要公布了:本发明公开了一种异质结电池片的返工方法,包括如下步骤:1将异质结电池片的绕镀端浸入腐蚀液中进行腐蚀,所述异质结电池片设置有辅助电极栅线;2腐蚀完毕后,将电池片取出并进行后处理。本发明通过在电池片边缘设置的辅助电极栅线,并利用高浓度碱腐蚀容易的各向同性反应原理,成功地去除了电池片边缘绕镀端的硅薄膜掺杂层,解决了电池片边缘短路引起的电,将电池参数不良的异结质电池片变废为宝,提升了产线电池片的良品率,降低生产成本,且不会造成电池片本身的外观不良的问题。

本发明授权一种异质结电池片的返工方法在权利要求书中公布了:1.一种异质结电池片的返工方法,其特征在于,包括如下步骤: 1将异质结电池片的绕镀端浸入腐蚀液中进行腐蚀,所述异质结电池片设置有辅助电极栅线; 2腐蚀完毕后,将电池片取出并进行后处理; 在所述步骤中,所述辅助电极栅线的设置与所述异质结电池片上的主栅线和细栅线的设置同时进行; 在所述步骤中,所述辅助电极栅线沿所述异质结电池片的边缘设置一周; 在所述步骤中,在所述异质结电池片的正面和背面均设置有所述辅助电极栅线; 在所述步骤中,所述辅助电极栅线到所述异质结电池片的边缘的距离为1-2mm; 在所述步骤中,所述辅助电极栅线为Ag栅线,Ag栅线的宽度为40-100μm,Ag栅线的高度为15-100μm; 在所述步骤1中,所述绕镀端浸入所述腐蚀液的深度不大于所述辅助电极栅线到所述异质结电池片的边缘的距离; 在所述步骤1中,所述绕镀端浸入所述腐蚀液的深度为0.1-1mm; 在所述步骤1中,所述腐蚀液包括KOH溶液和或NaOH溶液,所述KOH溶液或NaOH溶液的质量百分比浓度为20-50%; 在所述步骤1中,所述腐蚀的温度为30-90℃,所述腐蚀的时间为10-30分钟; 在所述步骤中,所述辅助电极栅线通过丝网印刷的方式进行设置。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人君泰创新(北京)科技有限公司,其通讯地址为:100176 北京市大兴区亦庄经济技术开发区荣华南路9号院2号楼10层;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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