长鑫存储技术有限公司刘志拯获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其制造方法、存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112185929B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910590955.X，技术领域涉及：H01L23/525；该发明授权半导体结构及其制造方法、存储器是由刘志拯设计研发完成，并于2019-07-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制造方法、存储器在说明书摘要公布了：本发明涉及一种半导体结构及其制造方法、存储器，半导体结构包括：衬底；下电极层，所述下电极层位于部分所述衬底上；绝缘介质层，所述绝缘介质层位于所述下电极层上，且所述绝缘介质层暴露出部分下电极层表面；上电极层，所述上电极层位于所述绝缘介质层上，所述上电极层、所述绝缘介质层以及所述下电极层构成反熔丝电容。本发明有利于改善半导体结构的电学性能。
本发明授权半导体结构及其制造方法、存储器在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 衬底； 下电极层，所述下电极层位于部分所述衬底上； 绝缘介质层，所述绝缘介质层位于所述下电极层上，且所述绝缘介质层暴露出部分下电极层表面； 上电极层，所述上电极层位于所述绝缘介质层上，所述上电极层、所述绝缘介质层以及所述下电极层构成反熔丝电容；所述下电极层的材料与所述上电极层的材料不同，且所述上电极层的电阻小于所述下电极层的电阻；所述下电极层、上电极层与衬底中的源极、漏极相互独立。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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