中芯长电半导体(江阴)有限公司徐罕获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯长电半导体(江阴)有限公司申请的专利一种晶圆级芯片封装结构及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111933586B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910394045.4，技术领域涉及：H01L23/31；该发明授权一种晶圆级芯片封装结构及制备方法是由徐罕;陈彦亨;吴政达;林正忠设计研发完成，并于2019-05-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种晶圆级芯片封装结构及制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种晶圆级芯片封装结构及制备方法，晶圆级芯片封装结构包括：基底；重新布线层，形成于所述基底上，所述重新布线层具有划片槽区域；封装层，形成于所述重新布线层上；凹槽，形成于所述封装层中，所述凹槽位于所述划片槽区域上。本发明的晶圆级芯片封装结构及制备方法能释放封装结构内部的应力，降低晶圆的翘曲度，增加工艺稳定性，提升良率，增加产出。
本发明授权一种晶圆级芯片封装结构及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种晶圆级芯片封装结构的制备方法，其特征在于，包括步骤： 提供一待处理晶圆级芯片封装结构，所述待处理晶圆级芯片封装结构包括：基底、重新布线层、封装层，所述重新布线层形成于所述基底上，所述封装层形成于所述重新布线层上，所述待处理晶圆级芯片封装结构具有划片槽区域，所述待处理晶圆级芯片封装结构具有翘曲； 于所述封装层上形成凹槽，所述凹槽位于所述划片槽区域上，所述凹槽未贯穿所述封装层，且所述凹槽的深度占所述封装层厚度的比例介于12～45之间，所述凹槽降低所述待处理晶圆级芯片封装结构内部的应力，以获得平坦化的晶圆级芯片封装结构； 于所述凹槽内及所述封装层的上表面形成保护层，所述保护层还覆盖所述凹槽的边角区域。
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