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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利输入接收器电路及智能优化的方法和半导体存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111181544B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201811346609.9，技术领域涉及：H03K19/00；该发明授权输入接收器电路及智能优化的方法和半导体存储器是由田凯设计研发完成，并于2018-11-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本输入接收器电路及智能优化的方法和半导体存储器在说明书摘要公布了：本发明提供一种输入接收器电路及智能优化的方法和半导体存储器。输入接收器电路包括检测单元，模式控制单元，双端差分单元和单端CMOS单元。检测单元用于获取芯片的工作频率；模式控制单元与检测单元连接，用于根据检测单元获取的工作频率控制输入接收器进入双端差分输入模式和单端CMOS输入模式中的一种；双端差分单元和单端CMOS单元均与模式控制单元连接，差分输入单元用于在双端差分输入模式下处理高速的数据传输；单端CMOS单元用于在单端CMOS输入模式下处理低速的数据传输。本发明在重度应用时，选择高速处理数据模式，提高数据处理速度，在轻度应用下，选择处理低速的数据传输，减少电路功耗，从而达到数据处理速度与功耗的最优化。

本发明授权输入接收器电路及智能优化的方法和半导体存储器在权利要求书中公布了：1.一种芯片的输入接收器电路，其特征在于，包括： 检测单元，所述检测单元用于获取所述芯片的工作频率； 模式控制单元，所述模式控制单元与所述检测单元连接，所述模式控制单元用于根据所述检测单元获取的所述工作频率控制所述输入接收器进入双端差分输入模式和单端CMOS输入模式中的一种； 双端差分单元，所述双端差分单元与所述模式控制单元连接，所述双端差分单元用于在所述芯片工作频率处于中、高段频率时，在所述双端差分输入模式下处理高速的数据传输； 单端CMOS单元，所述单端CMOS单元与所述模式控制单元连接，所述单端CMOS单元用于在所述芯片工作频率处于低段频率时，在所述单端CMOS输入模式下处理低速的数据传输； 还包括：调控单元，所述调控单元的输入端与所述模式控制单元连接，所述调控单元的输出端与所述双端差分单元连接，所述调控单元用于在所述双端差分输入模式下，根据所述模式控制单元获取的工作温度和所述工作频率调整偏置电流；其中，所述输入接收器在双端差分输入模式下工作时，获取的所述工作温度和所述工作频率为高段时，调整可调电阻的阻值，增大双端差分输入单元的偏置电流；所述输入接收器在双端差分输入模式下工作时，获取的所述工作温度和所述工作频率为中段时，调整可调电阻的阻值，减小双端差分输入单元的偏置电流。

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