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最新专利技术
  • 一种用于负极快充包覆沥青制备方法
    一种用于负极快充包覆沥青制备方法_广东嘉能锂电新材料有限公司_202411061943.5
    本发明公开了一种用于负极快充包覆沥青制备方法，包括以下步骤：乙烯焦油预热后与交联剂混合，搅拌均匀并通入空气，第一次加热升温至260‑280°并第一次恒温热缩聚，通入氮气替换空气，第二次加热升温至400‑420°并第二次恒温热缩聚，得到所述高...
    2025-07-21
  • 一种酮咯酸关键中间体的合成方法
    一种酮咯酸关键中间体的合成方法_鲁南制药集团股份有限公司_202411065554.X
    本发明属于药物合成技术领域，具体涉及一种酮咯酸关键中间体的合成方法。通过2‑苯甲酰吡咯与甲烷三羧酸三乙酯在过氧化叔丁醇和碘化钾、碘化亚铜、四丁基碘化铵的作用下进行反应，经后处理得生成5‑苯甲酰基吡咯‑2‑甲烷三羧酸三乙酯(M‑1)。反应条件...
    2025-07-21
  • 一种酮咯酸中间体的合成方法
    一种酮咯酸中间体的合成方法_鲁南制药集团股份有限公司_202411065553.5
    本发明属于药物合成技术领域，具体涉及一种酮咯酸中间体的合成方法。以2‑苯甲酰吡咯为起始物料合成酮咯酸中间体5‑苯甲酰基吡咯‑2‑甲烷三羧酸三乙酯。本发明的反应催化剂单一，操作简单，反应步骤少，产品收率高，避免现有技术中大量锰离子和醋酸存于体...
    2025-07-21
  • 显示装置
    显示装置_三星显示有限公司_202411069426.2
    公开涉及一种显示装置，更具体地，涉及一种能够改善外观质量并且使漏光现象最小化的显示装置。根据公开的实施例，一种显示装置包括：基体基底；发光元件，设置在基体基底上；保护基底，设置在发光元件上；偏振板，设置在保护基底上；以及侧壁，设置在基体基底...
    2025-07-21
  • 显示装置和制造显示装置的方法
    显示装置和制造显示装置的方法_三星显示有限公司_202411071047.7
    提供了显示装置和制造显示装置的方法。显示装置包括：包含有显示区域和驱动电路区域的衬底；位于显示区域中并且包括位于衬底上的第一有源层和位于第一有源层上的第一栅电极的第一晶体管；位于第一有源层与第一栅电极之间并且整个地覆盖第一有源层的第一栅极绝...
    2025-07-21
  • 一种考虑源荷不确定性及市场机制的省内电力平衡裕度快速评估方法
    一种考虑源荷不确定性及市场机制的省内电力平衡裕度快速评估方法_重庆大学_202411073576.0
    本发明属于电力系统评估技术领域，具体公开了一种考虑源荷不确定性及市场机制的省内电力平衡裕度快速评估方法。包括：利用非参数核密度估计对源荷出力预测误差的边缘分布建模；对基于概率模型产生的随机样本进行相关性建模以及随机样本的生成；同时获取对应的...
    2025-07-21
  • 一种具有扩展功能的多点式热电阻装置
    一种具有扩展功能的多点式热电阻装置_沈阳市新开拓热电测控仪表有限公司_202411068415.2
    本发明公开了一种具有扩展功能的多点式热电阻装置，包括：接线盒、保护管、防护圆环、扩展结构以及检测结构，本发明的有益效果是，通过T型扩展轴管和扩展内轴管的旋转与伸缩，设备能够灵活调整检测范围，适应不同尺寸和形状的检测需求；辅助扩展组件和扩展滑...
    2025-07-21
  • 工件加工用粘合片及其制造方法、以及电子器件装置的制造方法
    工件加工用粘合片及其制造方法、以及电子器件装置的制造方法_琳得科株式会社_202411069296.2
    本发明的课题在于提供生产性优异、抑制了磨削屑的附着量的工件加工用粘合片及其制造方法、以及使用上述工件加工用粘合片的电子器件装置的制造方法。本发明的解决方法为依次具有表面涂布层、缓冲层、基材及粘合剂层、且二碘甲烷相对于上述表面涂布层的23℃下...
    2025-07-21
  • 一种基于噻唑并噻唑桥联咪唑的聚集诱导发光抑尘剂
    一种基于噻唑并噻唑桥联咪唑的聚集诱导发光抑尘剂_河南农业大学_202411070411.8
    本发明涉及一种基于噻唑并噻唑桥联咪唑的聚集诱导发光抑尘剂，属于抑尘剂的技术领域。如下式I所示化合物：
    2025-07-21
  • 晶圆研磨装置以及晶圆研磨设备
    晶圆研磨装置以及晶圆研磨设备_浙江创芯集成电路有限公司_202411073640.5
    本发明实施例提供了晶圆研磨装置以及晶圆研磨设备，所述晶圆研磨装置包括：研磨盘、研磨围板和清洁组件；研磨盘用于放置待研磨晶圆；研磨围板环绕在研磨盘外围，在俯视角度下，研磨盘的投影位于研磨围板的投影环绕的区域内，其中，以研磨盘的投影区域作为研磨...
    2025-07-21
  • 一种具有多级结构的氧化石墨烯分离膜及其制备方法和应用
    一种具有多级结构的氧化石墨烯分离膜及其制备方法和应用_自然资源部天津海水淡化与综合利用研究所_202411071492.3
    本发明提供了一种具有多级结构的氧化石墨烯分离膜及其制备方法和应用，所述制备方法包括以下步骤：步骤1，制备大片氧化石墨烯分散液和小片氧化石墨烯分散液；步骤2，对大片氧化石墨烯分散液进行水热回流处理；步骤3，先后依次将处理后的大片氧化石墨烯和小...
    2025-07-21
  • 具有有差别的纳米线厚度和栅极氧化物厚度的全环栅集成电路结构
    具有有差别的纳米线厚度和栅极氧化物厚度的全环栅集成电路结构_英特尔公司_202411075534.0
    描述了具有有差别的纳米线厚度和栅极氧化物厚度的全环栅集成电路结构，以及制造具有有差别的纳米线厚度和栅极氧化物厚度的全环栅集成电路结构的方法。例如，集成电路结构包括具有外部厚度和内部厚度的纳米线，内部厚度小于外部厚度。纳米线从具有外部厚度的外...
    2025-07-21
  • 电池管理系统的高抗干扰无线通信
    电池管理系统的高抗干扰无线通信_亚德诺半导体国际无限责任公司_202411074363.X
    本公开涉及电池管理系统的高抗干扰无线通信。通过传输重编码信号来提高无线电池系统抗干扰性的技术，例如，为每个信息位使用序列的多个码片，在识别出噪声环境后，以数据速率换取干扰或抗干扰性作为响应。这些技术为系统提供了抗噪声工作模式(或高抗干扰发射...
    2025-07-21
  • 一种含多SVG新能源多馈入电网稳定裕度评估方法及系统
    一种含多SVG新能源多馈入电网稳定裕度评估方法及系统_贵州电网有限责任公司_202411074200.1
    本发明公开了一种含SVG的新能源电网稳定裕度评估方法及系统，涉及电力系统稳定性分析技术领域，包括采集SVG设备数据和电网参数；基于运行工况变化构建电网结构保持模型下含SVG的新能源电网传递函数矩阵；通过短路比分析方法揭示SVG对系统干扰稳定...
    2025-07-21
  • 地铁架大修厂房工艺模拟及优化方法
    地铁架大修厂房工艺模拟及优化方法_合肥工业大学_202411078855.6
    本发明公开了地铁架大修厂房工艺模拟及优化方法，包括S1、确定仿真目标；S2、仿真数据收集；S3、仿真规划；S4、仿真建模；S5、仿真结果处理与数据分析；S6、工艺优化等步骤。本发明在修建地铁架大修车间前可通过数据驱动的虚拟联合检修库仿真系统...
    2025-07-21
  • 用标签保护分页存储器
    用标签保护分页存储器_安华高科技股份有限公司_202411074962.1
    本公开涉及用标签保护分页存储器。提供可提供对存储器的安全存取的解决方案。一些解决方案将标签分配给存储器的页面，并通过确保寻求存取存储器的经标记页面的客户端经授权以存取由所述标签标记的页面来确保对存储器的每一页面的安全存取。
    2025-07-21
  • 编码器的自动校准
    编码器的自动校准_安华高科技股份有限公司_202411075708.3
    本公开涉及编码器的自动校准。提供用于实施能够执行自校准过程的编码器的新颖工具及技术，且更特定来说，提供用于实施能够使用移动平均算法来执行校准自身的过程的编码器的方法、系统及设备。在各种实施例中，所述编码器包含激励器及能够检测所述激励器的位置...
    2025-07-21
  • 编码器的自动稳定
    编码器的自动稳定_安华高科技股份有限公司_202411075039.X
    本公开涉及编码器的自动稳定。提供新颖工具及技术用于实施能够执行自校正过程的编码器，且更特定来说，提供方法、系统及设备用于实施能够在编码器的操作期间执行校正其自身的过程的所述编码器。在各种实施例中，所述编码器包含激励器及传感器，所述传感器能够...
    2025-07-21
  • 图像传感器和用于制造该图像传感器的方法
    图像传感器和用于制造该图像传感器的方法_三星电子株式会社_202411086353.8
    提供了图像传感器和用于制造该图像传感器的方法。图像传感器包括：衬底，其包括彼此相对的第一表面和第二表面；第一像素组，其位于衬底中，第一像素组包括第一单位像素、第二单位像素、第三单位像素、以及第四单位像素；光电转换区域，其位于第一单位像素至第...
    2025-07-21
  • 光半导体器件、光接收器、以及光收发器
    光半导体器件、光接收器、以及光收发器_富士通光器件株式会社_202411084593.4
    本申请涉及光半导体器件、光接收器、以及光收发器。提供了一种光半导体器件，该光半导体器件包括：第一半导体层，其具有第一带隙；以及第二半导体层，其具有比第一带隙小的第二带隙并且被形成在第一半导体层上。第一半导体层包括：具有第一极性的第一导电区、...
    2025-07-21
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