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最新专利技术
  • 用于燃料电池系统的控制方法、装置和机器可读存储介质
    用于燃料电池系统的控制方法、装置和机器可读存储介质_罗伯特·博世有限公司_202311447410.6
    本申请涉及用于燃料电池系统的控制方法、装置和机器可读存储介质，方法包括：检测到多个电池单元中的至少一个电池单元的电压等于或低于第一电压阈值或DCDC转换器出现故障；断开至少一个第一开关；使得阳极循环单元保持运行；以及在第一时段期间，使得阴极...
    2025-07-20
  • 一种直接甲醇（乙醇）燃料电池催化剂中毒和甲醇渗透问题解决方法
    一种直接甲醇（乙醇）燃料电池催化剂中毒和甲醇渗透问题解决方法_卢振华_202311455499.0
    一种直接甲醇(乙醇)燃料电池催化剂中毒和甲醇渗透问题解决方法直接甲醇(乙醇)燃料电池属于质子交换膜燃料电池(PEMFC)中之一类，目前，现有的直接甲醇(乙醇)燃料电池正极铂电极一氧化碳中毒问题和质子交换膜甲醇(乙醇)渗透是一个无法解决的问题...
    2025-07-20
  • 双极板及其制造方法
    双极板及其制造方法_昆山康龙电子科技有限公司_202311446291.2
    本发明公开了一种双极板及其制造方法，指一种应用在一燃油电池中的双极板，该双极板包含有一金属基板及两个硅胶密封层；该金属基板具有一第一表面及一第二表面，其上设置有至少一通道。两个该硅胶密封层分别利用一次射出成型方式直接形成在该第一表面与该第二...
    2025-07-20
  • 一种碳包覆镍锰酸锂材料的制备方法及包含其的锂电池
    一种碳包覆镍锰酸锂材料的制备方法及包含其的锂电池_蔚来电池科技(安徽)有限公司_202311465737.6
    本申请涉及一种碳包覆镍锰酸锂材料的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：步骤1：提供包含锂盐、镍盐、锰盐、镁盐以及溶剂的前驱体溶液，将所述前驱体溶液经过喷雾热解处理得到包含所述镁的前驱体；步骤2：将所述前驱体经过热处理得到镍锰酸锂单晶材料；步...
    2025-07-20
  • 一种具有多种形态结构的纳米硅材料及其制备方法和应用
    一种具有多种形态结构的纳米硅材料及其制备方法和应用_山东大学_202311444922.7
    本发明涉及一种具有多种形态结构的纳米硅材料及其制备方法和应用。所述纳米硅材料中具有晶态纳米硅、无定形态纳米硅和纳米多孔硅，三种形态结构的硅同时共存。本发明还提供了该具有多种形态结构的纳米硅材料的制备方法，包括：1)将Li‑Zn‑Si化合物球...
    2025-07-20
  • 正极浆料、制备方法、正极极片、二次电池和用电装置
    正极浆料、制备方法、正极极片、二次电池和用电装置_宁德时代新能源科技股份有限公司_202311450745.3
    本申请提供了一种正极浆料、制备方法、正极极片、二次电池和用电装置。正极浆料包括复合正极材料，复合正极材料包括正极材料基体和至少部分覆盖于正极材料基体上的包覆层，包覆层包含硅氧烷交联聚合物。该正极浆料可以提高电池的循环容量保持率，延长电池的循...
    2025-07-20
  • 钛和氮化钛的叠层的刻蚀压力确定方法
    钛和氮化钛的叠层的刻蚀压力确定方法_格科半导体(上海)有限公司_202311453235.1
    一种钛和氮化钛的叠层的刻蚀压力确定方法，所述方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成钛和氮化钛的叠层，并确定所述叠层中钛和氮化钛的厚度比；确定等离子体刻蚀工艺的偏置功率；根据所述偏置功率和所述厚度比，确定所述等离子体刻蚀工艺的刻蚀压...
    2025-07-20
  • 半导体制程辅助设备控制方法、控制组件及制造系统
    半导体制程辅助设备控制方法、控制组件及制造系统_联华电子股份有限公司_202311446708.5
    一种半导体制程辅助设备控制方法、控制组件及制造系统。半导体制程辅助设备控制方法用以控制至少一半导体制程辅助设备。半导体制程辅助设备控制方法包括以下步骤。获得一半导体制程处理设备的至少一制程参数。依据制程参数，生成一能量调整信号。依据能量调整...
    2025-07-20
  • 半导体封装结构及其制造方法
    半导体封装结构及其制造方法_台达电子工业股份有限公司_202311446863.7
    本揭示提供一种半导体封装结构的制造方法及由该方法所制造的半导体封装结构，所述半导体封装结构的制造方法包括：提供一下模具；设置多个半导体元件于该下模具上；设置多个第一金属结构于该下模具上，其中该等第一金属结构位于该等半导体元件的两侧；提供一上...
    2025-07-20
  • 晶圆刻蚀方法
    晶圆刻蚀方法_格科半导体(上海)有限公司_202311453231.3
    一种晶圆刻蚀方法，所述方法包括：提供晶圆，所述晶圆的正面具有钨材料层；自所述晶圆的正面，对所述钨材料层进行等离子体刻蚀；其中，用于所述等离子体刻蚀的刻蚀气体包含含氟气体以及BCl3；所述晶圆的表面还具有铝，和/或，用于...
    2025-07-20
  • 半导体器件的制造方法
    半导体器件的制造方法_青岛澳柯玛云联信息技术有限公司_202311449415.2
    本发明提供一种半导体器件的制造方法，其热氧化形成栅氧化层之前，先在同一图形化掩膜层的掩蔽作用下，对栅氧形成区域中的衬底进行第一离子(用于调整阈值电压)的注入和第二离子的注入，再将栅氧形成区域中的衬底刻蚀掉一部分厚度，形成用于降低衬底顶面高度...
    2025-07-20
  • 上电极装置及半导体工艺设备
    上电极装置及半导体工艺设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202311452859.1
    本发明提供一种上电极装置及半导体工艺设备，上电极装置包括屏蔽壳体、第一线圈、第二线圈、接地组件和多个连接部件，接地组件和多个连接部件均设置在屏蔽壳体内，多个连接部件均用于与设置在屏蔽壳体外的匹配部件电连接；第一线圈环绕在第二线圈的周围，第一...
    2025-07-20
  • 具有双杠杆开关行程放大机构的开关面板
    具有双杠杆开关行程放大机构的开关面板_西蒙电气(中国)有限公司_202311444806.5
    本发明涉及一种具有双杠杆开关行程放大机构的开关面板，其中，所述的开关面板包括：自上而下依次设置的按钮板、弯曲杠杆、扭力杠杆、功能模块以及底板，其中，所述的扭力杠杆对称设置在所述的底板的两侧，所述的功能模块设置在所述的弯曲杠杆的两侧，所述的弯...
    2025-07-20
  • 开关机构以及电子开关式低压保护开关装置
    开关机构以及电子开关式低压保护开关装置_西门子股份公司_202311459155.7
    根据本发明的用于电子开关式低压保护开关装置(1)的开关机构(10)具有壳体(11)、接纳且固持在壳体(11)中的开关构件(20)以及可旋转地布置在壳体(11)中并且与开关构件(20)机械联接的开关轴(30)，在该开关轴上紧固有至少一个运动触...
    2025-07-20
  • 电子开关式低压保护开关装置
    电子开关式低压保护开关装置_西门子股份公司_202311459146.8
    根据本发明的电子开关式低压保护开关装置具有绝缘材料壳体，该绝缘材料壳体具有沿宽侧的法线方向并排布置的两个壳体区段，其中在每个壳体区段中布置有机械开关触点，该机械开关触点具有固定触点以及可相对于其运动的运动触点。此外，保护开关装置具有开关构件...
    2025-07-20
  • 一种制备钕铁硼磁体的方法
    一种制备钕铁硼磁体的方法_宁波科宁达工业有限公司_202311459662.0
    本公开涉及一种钕铁硼磁体的喷涂方法，该方法包括将钕铁硼基体置于转筒空腔内，使转筒以3～10rpm转速绕轴向转动，转筒包括由筒底和筒壁围成的具有开口的转筒空腔，转筒空腔的开口方向朝斜上，转筒的轴向相对于水平面倾斜设置，转筒的轴向与水平面之间的...
    2025-07-20
  • 磁性元件成型方法、磁性元件及变压器
    磁性元件成型方法、磁性元件及变压器_台达电子企业管理(上海)有限公司_202311452123.4
    本案公开一种磁性元件成型方法、磁性元件及变压器，磁性元件包含多个导电层和多个一体成型的第二胶体部。每一导电层包含第一导电片、第二导电片以及第一胶体部，第一胶体部设置于第一导电片和第二导电片之间，用于固定和绝缘第一导电片和第二导电片，每一第二...
    2025-07-20
  • 高Ga低B磁体的扩散方法、钕铁硼磁体
    高Ga低B磁体的扩散方法、钕铁硼磁体_浙江东阳东磁稀土有限公司_202311450317.0
    本发明提供了一种高Ga低B磁体的扩散方法、钕铁硼磁体。该制备方法包括：使含重稀土元素的扩散剂附着在高Ga低B磁体的外表面，在1×10‑3～1×10‑2pa的真空度条件、920～960℃的温度条件下...
    2025-07-20
  • 高功率晶片电阻及其制造方法
    高功率晶片电阻及其制造方法_国巨股份有限公司_202311450434.7
    一种高功率晶片电阻，包含：电阻层、第一导热层、贴合层、两内电极、第一保护层以及第二导热层。第一导热层具有两第一导热体及两第一导热体之间的第一间隙；贴合层设置于电阻层与第一导热层之间，以贴合电阻层与第一导热层；两内电极分别设置于电阻层的两端处...
    2025-07-20
  • 高功率薄膜电阻及其制造方法
    高功率薄膜电阻及其制造方法_国巨股份有限公司_202311446688.1
    一种高功率薄膜电阻，包含：基板、电阻层、内电极层、钝化层及导热层。电阻层设置于基板上方，其中内电极层具有中间电阻区及两端电阻区；内电极层设置于电阻层上方，其中内电极层具有中间内电极区及两端内电极区，将电阻层划分为中间电阻区及两端电阻区；钝化...
    2025-07-20
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