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信息存储应用技术
用于放大器输入对保护的方法和系统
本申请案涉及用于放大器输入对保护的方法和系统。一种存储器装置包含电压产生器,所述电压产生器经配置以产生用于传输到所述存储器装置的至少一个组件的参考电压。所述电压产生器包含第一输入以接收具有第一电压值的第一信号。所述电压产生器还包含第二输入以...
一种数据读取电路
本申请提供一种数据读取电路,包括:数据转换电路,包括第一并联转串联电路以及命令控制电路,第一并联转串联电路与存储阵列连接,读取存储阵列并行数据;命令控制电路基于读命令的控制,生成触发时序不同的控制信号至第一并联转串联电路,对存储阵并行数据进...
读取放大器及增强负载模块读取可靠性的方法和装置
本发明公开了一种读取放大器设计,应用于MRAM单元,且包括:互相连接的偏置电路单元,基本单元,反耦合结构单元以及输出比较器。反耦合结构单元用于对冲基本单元的公共电压对偏置电路单元的偏置电压的耦合。相比于现有技术中在关键电路上增加大量电容以对...
一种高功率厚电极及其制备方法和应用
本方案公开了锂离子电容器技术领域的一种高功率厚电极的制备方法,包括以下步骤:首先,制备小颗粒电极浆料,将小颗粒硬碳材料(粒径D50为1‑3μm)、导电剂和粘结剂混合,并加入适量溶剂调至粘度为4000‑5000mPa·s;其次,制备大颗粒电极...
一种超级电容器及其制备方法
一种超级电容器的制备方法,是以Fe
2
O
3
空心管/石墨烯复合材料、乙炔黑和聚偏氟乙烯混合后,加入甲基吡咯烷酮研磨成糊状物,将糊状物作为活性物质涂覆于泡沫镍表面,将涂覆了活性物质的泡沫镍进行压片得超级...
一种写入方法、电路以及阵列
本申请提供了一种写入方法、电路以及阵列,涉及集成电路技术领域。写入电路,包括电压调控模块以及Nand型磁存储单元;Nand型磁存储单元包括自旋轨道矩层以及设置在自旋轨道矩层上的多个磁隧道结。电压调控模块用于根据预设存储需求,生成写入电压和与...
存储阵列、存储器以及电子设备
本申请提供了一种存储阵列、存储器以及电子设备,涉及存储技术领域,包括:若干矩阵式排布的存储单元;每列所述存储阵列均包括至少一个存储单元组,所述存储单元组包括多个存储单元和第一开关管,每个所述存储单元包括存储器件;每行所述存储阵列包括第二开关...
一种读写电路、方法以及阵列
本申请提供了一种读写电路、方法以及阵列,涉及集成电路技术领域,该读写电路至少包括第一开关管、第二开关管、自旋轨道矩层、多个磁隧道结、写位线、读位线以及源线;多个磁隧道结顺序排布于自旋轨道矩层上,且多个磁隧道结的顶部连接于同一条读位线;自旋轨...
存储单元读写控制方法、提升存储器稳定性方法及其装置
本发明公开了一种存储单元读写控制方法、提升存储器稳定性方法及其装置,涉及存储器领域,存储单元的读写控制方法包括在写入操作之前将所述存储单元中电容的第一极板设置为第一电平;所述第一电平与读取操作后的所述电容的第二极板的第二电平状态相同。本发明...
多次可编程存储器设备和方法
提供了一种装置,该装置包括存储器单元,该存储器单元包括与选择器元件串联耦合的可逆电阻切换存储器元件。存储器单元可被选择性地配置为可重写存储器单元或多次可编程存储器单元。选择器元件包括第一开关电阻和第二开关电阻。电阻切换存储器元件包括第一存储...
具有地址跳过的微调搜索的存储器内建自测试
一种由存储器内建自测试系统执行的地址跳过微调搜索,包括:在一个存储器库上执行存储器读取操作,以确定其是否失败于基于用于前一存储器库的参考微调值、正确地感测出存储数据的值;如果当前存储器库失败,则执行存储器读取操作以为所述当前存储器库搜索新的...
一种氮掺杂铁钴硒化物/碳纳米管复合电极材料的制备方法及其应用
一种氮掺杂铁钴硒化物/碳纳米管复合电极材料的制备方法及其应用,它涉及一种复合电极材料的制备方法及其应用。本发明的目的是要解决现有单独硒化物在电化学领域中应用仍面临活性位点受限、电导率不理想的问题,需要开发简单快速、成本低、灵敏度高的电化学传...
一种工程建设用测量仪器
本发明公开了一种工程建设用测量仪器,涉及测量技术领域。本发明包括安装盘、调节盘以及空心换气盘;调节盘内部开设有调节槽;调节槽内部滑动设置有调节板;调节盘周侧面均匀贯穿固定有调节活塞筒;调节活塞筒内壁滑动设置有调节活塞板;调节活塞板侧面固定有...
一种接触传感器
本发明提供一种接触传感器,通过设置偏置块,所述偏置块延伸有凸出的偏置柱,所述偏置柱的两侧接触连接有信号连接件,所述信号连接件与所述检测器电连接,所述偏置块的内侧端与所述支撑壳体之间设置有弹簧,所述接触端以及所述偏置块在所述弹簧的作用下可以相...
一种超级电容器电极材料的制备方法及其应用
本发明公开了一种超级电容器电极材料及其制备方法,属于纳米材料制备技术领域。本发明采用六水合硝酸钴作为金属源,以尿素为沉淀剂,采用无表面活性剂和无模版的一步水热法技术,制备了具有较高比电容的超级电容器电极材料。该制备纳米材料方法简单,条件温和...
一种高比表面积类石墨化电容炭及其制备方法与应用
本发明属于活性炭技术领域,涉及一种高比表面积类石墨化电容炭及其制备方法与应用,具体公开了一种高温制备类石墨化超级电容用活性炭的方法,该活性炭用于超级电容极片材料。通过将碳原料与活化剂混合后入反应釜加热至350~500℃呈流动发泡膏状,搅拌至...
在存储器中以及在存储器模块的装置之间的直接数据传送
本公开涉及在存储器中以及在存储器模块的装置之间的直接数据传送。本公开包含与在存储器中直接数据传送有关的设备和方法。实例设备可包含经由相应第一多个端口耦合到主机的第一多个存储器装置以及经由相应第二多个端口耦合到所述第一多个存储器装置的第二多个...
掩星探测仪接口测试设备、方法、装置及存储介质
本申请公开了一种掩星探测仪接口测试设备、方法、装置及存储介质,一种掩星探测仪接口测试设备包括:控制模块;与控制模块连接的第一传输模块、第二传输模块和存储模块;其中,第一传输模块用于控制模块与待测掩星探测仪之间的通信;第二传输模块用于控制模块...
半导体器件和半导体器件的制备方法
一种半导体器件和半导体器件的制备方法,该半导体器件包括第一半导体结构、第二半导体结构、第三半导体结构、第一位线连接线和第二位线连接线,第一半导体结构包括感测放大器电路,第二半导体结构通过键合与第一半导体结构连接,且包括第一存储单元,第三半导...
实时监控嵌入式芯片内部流程的方法及系统、设备、介质
本申请公开了一种实时监控嵌入式芯片内部流程的方法及系统、设备、介质;涉及芯片内部监控技术领域。方法包括:当嵌入式芯片的内部进行操作流程,嵌入式芯片根据操作流程中的操作步骤的执行时序,采用唯一标识符对各个操作步骤进行有序标记;对唯一标识符进行...
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