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最新专利技术
  • 性能测试方法和装置、电子设备和存储介质
    性能测试方法和装置、电子设备和存储介质_北京金山云网络技术有限公司_202311685137.0
    本申请提供了一种性能测试方法和装置、电子设备和存储介质，其中，该方法包括：获取目标JMeter从节点的从节点资源状态，其中，所述目标JMeter从节点包含于部署在K8s集群的JMeter集群中，所述JMeter集群用于对目标对象进行目标性能...
    2025-07-20
  • 一种文件处理方法、系统、设备及介质
    一种文件处理方法、系统、设备及介质_北京字跳网络技术有限公司_202311679349.8
    本申请提供了一种文件处理方法、系统、设备及介质，该方法包括：获取第一文件和表征自然语言内容的输入信息，其中，输入信息用于指示针对第一文件的处理需求；确定与第一文件的文件类型对应的目标处理工具；将第一文件和输入信息发送至目标处理工具，接收目标...
    2025-07-20
  • 生成式预训练GPT模型输入数据的构建方法和存储介质
    生成式预训练GPT模型输入数据的构建方法和存储介质_青岛海尔科技有限公司_202311687386.3
    本申请公开了一种生成式预训练GPT模型输入数据的构建方法和存储介质，该生成式预训练GPT模型输入数据的构建方法包括：获取生成式预训练GPT模型的初始输入数据，其中，生成式预训练GPT模型用于识别初始输入数据所指示的目标操作；识别初始输入数据...
    2025-07-20
  • 一种基于相似度的词语识别方法及装置
    一种基于相似度的词语识别方法及装置_北京沃东天骏信息技术有限公司_202311687931.9
    本发明公开了一种基于相似度的词语识别方法及装置，涉及大数据技术领域。该方法的具体实施方式包括：获取目标词语的目标文字；基于字形向量索引库获取上述目标文字的向量特征；基于上述目标文字的向量特征采用上述字形向量索引库进行特征相似度检索，以获取上...
    2025-07-20
  • 一种半导体介质结构及其制备方法
    一种半导体介质结构及其制备方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202311687690.8
    本申请公开了一种半导体介质结构及其制备方法，提供介质层中具有沟槽结构的衬底；通过绝缘材料在具有催化气体的气氛环境下等速沉积以及在不具有催化气体的气氛环境下差速沉积在沟槽结构内形成沿自沟槽结构槽口向槽底延伸的第一方向厚度逐渐变小的衬垫层；对衬...
    2025-07-20
  • 一种显示面板及制作方法、拼接显示屏
    一种显示面板及制作方法、拼接显示屏_重庆康佳光电科技有限公司_202311686977.9
    本申请涉及一种显示面板及制作方法、拼接显示屏，显示面板包括：电路基板，所述电路基板包括驱动电路；设于所述电路基板上的发光芯片，所述发光芯片的电极与所述驱动电路电连接；将所述发光芯片覆盖的封装层；以及设于所述电路基板四周侧面的弹性体，所述弹性...
    2025-07-20
  • 一种半导体结构及其制备方法
    一种半导体结构及其制备方法_苏州晶湛半导体有限公司_202311685452.3
    本发明公开了一种半导体结构及其制备方法，半导体结构包括：依次层叠设置的衬底、缓冲层、沟道层和势垒层；所述缓冲层包括碳元素掺杂，所述缓冲层包括层叠分布的第一部分和第二部分，所述第一部分位于所述缓冲层中靠近所述衬底一侧，沿所述衬底指向所述沟道层...
    2025-07-20
  • 半导体器件及其制备方法
    半导体器件及其制备方法_成都紫光半导体科技有限公司_202311685639.3
    本公开涉及一种半导体器件及其制备方法，该半导体器件包括：衬底，位于衬底上的第一介质层，以及第一介质层上的栅极；以及侧壁结构，设于栅极的侧壁，包括沿远离栅极方向依次设置的第一氧化物层、第一氮化物层、空气间隙和第二氮化物层。该侧壁结构包括第一氧...
    2025-07-20
  • 晶体管背板结构
    晶体管背板结构_川奇光电科技(扬州)有限公司_202311682898.0
    本发明提供一种晶体管背板结构，包括多个像素结构及布线层。每一像素结构分别包括基板、设置在基板上的晶体管及设置于晶体管上的第一绝缘层，第一绝缘层中设置有多个导电通孔。布线层设置在这些像素结构上，布线层包括多个可拉伸电极层及多个可拉伸绝缘层，且...
    2025-07-20
  • 一种电池串生产设备及生产方法
    一种电池串生产设备及生产方法_无锡奥特维科技股份有限公司_202311681037.0
    本申请提供了一种电池串生产设备及生产方法，电池串生产设备包括焊带牵引装置、电池片铺放装置、焊接输送装置及串接装置，其中：焊接输送装置沿第一水平方向的输送路径上依次设有焊带铺放工位、电池片铺放工位及焊接工位；焊带牵引装置将焊带组铺放至焊带铺放...
    2025-07-20
  • 显示装置
    显示装置_群创光电股份有限公司_202311686396.5
    本申请公开一种显示装置，包括一第一基板、一第二基板、一粘着层、至少一发光单元以及一中介层。第二基板相对于第一基板；粘着层设置于第一基板与第二基板之间；发光单元设置于粘着层与第一基板之间，且发光单元包括至少一发光组件，发光组件朝向粘着层的表面...
    2025-07-20
  • 用于系统中智能集中式电弧故障检测的方法和设备
    用于系统中智能集中式电弧故障检测的方法和设备_施耐德电气美国股份有限公司_202380077787.9
    提供了一种用于促进电气系统上的电弧故障检测的方法和系统。在该方法和系统中，第一装置可以测量或获得由电气系统上的第一传感器监控的电路上的高频信号的测量值，这些测量值用于确定高频特征。分支装置可以在由第二传感器监控的相关联的分支电路上测量或获得...
    2025-07-20
  • 导电材料、陶瓷电子部件及其制造方法
    导电材料、陶瓷电子部件及其制造方法_株式会社村田制作所_202380080176.X
    提供在设置于陶瓷电子部件的表面的导体膜中即使将其薄膜化也能够不易导致镀覆附着性不良、形成水分浸入路径的技术。例如为了形成层叠陶瓷电容器（1）的外部电极（6，7），准备导电材料，该导电材料包含通过烧成而成为作为导电成分的金属铜的纳米CuO粒子...
    2025-07-20
  • CIK细胞的冻存保护液、冻存方法和复苏方法
    CIK细胞的冻存保护液、冻存方法和复苏方法_浙江新生泉细胞科技有限公司_202311672100.4
    本发明提供了一种CIK细胞的冻存保护液，所述的CIK细胞注射剂的冻存液按照体积百分比由以下组分组成：5％～10％二甲基亚砜、20％～40％人血白蛋白，余量为复方电解质。本发明提供的CIK细胞的冻存保护液，成分简单，原料成本低，降低高浓度DM...
    2025-07-20
  • 测试代码生成方法、装置、存储介质和设备
    测试代码生成方法、装置、存储介质和设备_广州六环信息科技有限公司_202311670874.3
    本发明涉及一种测试代码生成方法、装置、存储介质和设备，通过获取待测试的目标代码和测试需求文件，根据测试需求文件来生成与目标代码对应的测试代码生成提示信息，再通过调用第三方人工智能数据库的数据接口，通过数据接口向第三方人工智能数据库发送调用指...
    2025-07-20
  • 混码垛型注册系统及机器人
    混码垛型注册系统及机器人_星猿哲科技(上海)有限公司_202311674950.8
    本发明提供了一种混码垛型注册系统及机器人，包括：处理单元、显示单元，接收单元，显示单元用以显示放置设置页面，放置设置页面中存在至少一个箱子混码垛型注册的功能跳转控件；处理单元包括：混码规则设置单元、测试运行单元；接收单元接收用户针对箱子混码...
    2025-07-20
  • 混码垛型注册方法
    混码垛型注册方法_星猿哲科技(上海)有限公司_202311677856.8
    本发明提供了一种混码垛型注册方法，包括：根据用户输入的指示信息，跳转至放置设置页面，并选择箱子混码垛型注册控件；接收针对所述箱子混码垛型注册控件的触发操作，对混码规则进行设置；对所述混码规则进行测试运行，并在至少一个显示区域，以三维方式展示...
    2025-07-20
  • 文本检测方法、装置、电子设备及可读存储介质
    文本检测方法、装置、电子设备及可读存储介质_嘉实基金管理有限公司_202311677991.2
    本公开涉及计算机技术领域，具体涉及一种文本检测方法、装置、电子设备及可读存储介质，所述方法包括：获取待检测文本，并对待检测文本进行分词，得到待检测文本的分词；对待检测文本的分词进行聚类，并对聚类分词标注短期预测类型；基于每个聚类分词的短期预...
    2025-07-20
  • 一种应用程序的测试管理方法和装置
    一种应用程序的测试管理方法和装置_北京沃东天骏信息技术有限公司_202311669665.7
    本发明公开了一种应用程序的测试管理方法和装置，涉及计算机技术领域。该方法的一具体实施方式包括：响应于接收到资源访问请求，确定与所述访问请求对应的登录场景；根据所述登录场景确定与所述访问请求对应的目标用户标识；确定与所述目标用户标识对应的鉴权...
    2025-07-20
  • 一种半导体结构及其制造方法
    一种半导体结构及其制造方法_苏州晶湛半导体有限公司_202311675693.X
    本公开提供了一种半导体结构及其制造方法，半导体结构包括层叠设置的衬底和多沟道异质结层，多沟道异质结层远离衬底的方向上为第1，…，第m，…，第n层异质结，每层异质结包括沟道层和势垒层；阳极和阴极，位于多沟道异质结层的两端，阳极包括至少一组阳极...
    2025-07-20
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