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最新专利技术
  • 一种冷轧碎边输送及均匀落料的设备
    一种冷轧碎边输送及均匀落料的设备_新疆八一钢铁股份有限公司_202311657183.X
    本发明公开了一种冷轧碎边输送及均匀落料的设备，包括支撑架，支撑架前端由前往后、安装位置由低到高依次设置着爬坡转向纠偏辊、爬坡托辊、碎边输送挡边皮带、爬坡驱动辊，爬坡驱动辊后方的支撑架上由前往后分别设置着过渡边板、平带托辊、平带转向纠偏辊、出...
    2025-07-19
  • PILRα/CD99通路抑制剂及其应用
    PILRα/CD99通路抑制剂及其应用_厦门大学_202311666128.7
    本发明属于生物医药领域，涉及PILRα/CD99通路抑制剂及其在免疫治疗中的应用。具体而言，本发明提供了PILRα/CD99通路抑制剂用于治疗肿瘤和/或调节免疫应答的用途及方法。此外，本发明还提供了PILRα功能性表位以及靶向PILRα功能...
    2025-07-19
  • 关节机构、机械臂以及手术机器人
    关节机构、机械臂以及手术机器人_深圳康诺思腾科技有限公司_202311666699.0
    本发明公开了一种关节机构、机械臂以及手术机器人。该关节机构包括输出轴、电机、减速器以及第一轴承组件。电机包括第一壳体组件以及与第一壳体组件转动连接的输入轴。输入轴开设有沿输入轴的轴向方向且贯穿输入轴的通孔。输出轴的至少部分插入通孔，输出轴与...
    2025-07-19
  • 一种张力指示器
    一种张力指示器_深圳市纬康医疗科技有限公司_202311665461.6
    本申请涉及一种张力指示器，用于输送医疗器械的输送器，包括：调节旋钮，其内部具有旋钮腔体，外部设置有将所述旋钮腔体与外部贯通的沿纵轴延伸的长条孔；张力套筒，所述张力套筒固定设置在所述旋钮腔体内；指针滑架，所述指针滑架滑动设置在所述张力套筒中；...
    2025-07-19
  • 一种密封传动件、输送器及其输送系统
    一种密封传动件、输送器及其输送系统_深圳市纬康医疗科技有限公司_202311670438.6
    一种密封传动件、输送器及其输送系统，该密封传动件包括：中空的调节轮，所述调节轮侧壁设置有与所述调节轮内腔连通的贯穿孔；传动齿单元，所述传动齿单元活动地设置在所述贯穿孔中；中空的密封套筒组件，所述密封套筒组件的外侧具有往复螺纹结构，所述密封套...
    2025-07-19
  • 一种旁路通道结构及其输送器
    一种旁路通道结构及其输送器_深圳市纬康医疗科技有限公司_202311665447.6
    本发明涉及一种旁路通道结构及其输送器，该旁路连通结构包括：三通套筒，包括主体管和与主体管通过分支连接口连通的分支管；密封套筒组件，所述密封套筒组件的近端设置于所述三通套筒的腔体中，具有贯穿其近端和远端的主腔体以及相对于所述主腔体径向偏置的旁...
    2025-07-19
  • 通信网络中定位的终止
    通信网络中定位的终止_瑞典爱立信有限公司_202380078561.0
    一种位置服务器（14）被配置为在通信网络（10）中使用。作为定位信息更新过程的一部分，位置服务器（14）从无线电网络节点（18）接收消息（16‑2U），该消息（16‑2U）指示来自特定通信设备（12）的探测参考信令（SRS）传输已经停止。在...
    2025-07-19
  • 仿真系统和仿真方法
    仿真系统和仿真方法_欧姆龙株式会社_202380077283.7
    对应于实际空间的生产线的基座等的变形，修正使用3D(Dimensional)仿真创建的示教数据。仿真系统具有安装于多关节机器人(100)的摄像头(111)和仿真装置。摄像头(111)将配置在现实世界的生产线(10)的基座(120)上的地标(...
    2025-07-19
  • 用于锤钻或凿锤的打击机构
    用于锤钻或凿锤的打击机构_喜利得股份公司_202380079002.1
    本发明涉及一种用于锤钻或凿锤的打击机构（1），该打击机构包括用于工具（6）的管状工具保持部（4），该管状工具保持部接纳在导向壳体（2）中并且在该管状工具保持部的近侧端部处设置有同轴向后布置的打击夯（8）。在工具保持部（4）与导向壳体（2）之...
    2025-07-19
  • 组合物、导电性接合材料、器件及导电性接合材料的制造方法
    组合物、导电性接合材料、器件及导电性接合材料的制造方法_富士胶片株式会社_202380076687.4
    本发明的课题为提供一种能够形成具有较高的导电性和接合强度的导电性接合材料的组合物、及导电性接合材料、器件以及导电性接合材料的制造方法。本发明的组合物为含有金属纳米线及分散介质的组合物，组合物的含水量相对于金属纳米线的质量为0.05～10质量...
    2025-07-19
  • 阵列基板、显示面板及其制造方法
    阵列基板、显示面板及其制造方法_成都辰显光电有限公司_202311677569.7
    本申请实施例提供一种阵列基板、显示面板及其制造方法，阵列基板包括：拼接基板和第一基板，第一基板设置于拼接基板；第一基板包括柔性衬底，柔性衬底包括依次连接的第一分段、弯折段和第二分段；沿阵列基板厚度方向上，第一基板的投影面积大于拼接基板的投影...
    2025-07-19
  • 光学组件的制造方法、光学组件以及发光装置的制造方法
    光学组件的制造方法、光学组件以及发光装置的制造方法_陈量科技股份有限公司_202311672440.7
    本发明涉及一种光学组件的制造方法、光学组件以及发光装置的制造方法。光学组件的制造方法包括有提供下透明基板；其中，下透明基板具有上表面；提供量子点薄膜单元及胶材围墙，设置于上表面；其中，胶材围墙环绕量子点薄膜单元；提供上透明基板，覆盖于量子点...
    2025-07-19
  • 光电传感器及其形成方法
    光电传感器及其形成方法_中芯北方集成电路制造(北京)有限公司_202311676129.X
    一种光电传感器及其形成方法，光电传感器包括：基底，具有受光面，且基底包括感光像素区，感光像素区包括多个呈矩阵分布的像素单元区，每个像素单元区均分割为阵列排布的多个子单元区；隔光结构，贯穿受光面一侧的部分厚度的基底，隔光结构位于相邻像素单元区...
    2025-07-19
  • 一种提高图像传感器制造工艺中掩膜版利用率的方法
    一种提高图像传感器制造工艺中掩膜版利用率的方法_格科半导体(上海)有限公司_202311675809.X
    本发明公开一种提高图像传感器制造工艺中掩膜版利用率的方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成具有高度差的介质层；在所述介质层上形成抗反射层和光阻层；通过曝光和显影，在所述衬底的多个区域形成对应的图形化的光阻层；通过刻蚀，形成所述衬底的多个区域...
    2025-07-19
  • 逆导型绝缘栅双极晶体管
    逆导型绝缘栅双极晶体管_株洲中车时代半导体有限公司_202311674319.8
    本发明提出了一种逆导型绝缘栅双极晶体管。所述逆导型绝缘栅双极晶体管包括：依次层叠设置的集电区、漂移区、N阱区、P+区，和多个贯穿所述P+区、所述N阱区并延伸至所述漂移区的沟槽栅，所述沟槽栅限定出沟道区和非沟道区，在所述沟道区中，所述N阱区和...
    2025-07-19
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202311678198.4
    一种半导体结构及其形成方法，结构包括：基底；沟道叠层结构，悬置于基底的顶部，沟道叠层结构包括一个或多个间隔设置的沟道叠层，沟道叠层包括二维材料沟道层以及环绕二维材料沟道层的表面的缓冲层；器件栅极结构，位于基底顶部且横跨沟道叠层结构，器件栅极...
    2025-07-19
  • 一种半导体结构及其制作方法
    一种半导体结构及其制作方法_苏州晶湛半导体有限公司_202311675719.0
    本申请实施例提供的一种半导体结构及其制作方法，半导体结构包括依次层叠的衬底、沟道层和势垒层，沟道层和势垒层包括栅极区域、以及位于栅极区域两侧的源极区域和漏极区域；P型半导体层位于栅极区域上；第一富氢层位于P型半导体层靠近漏极区域的一侧，第一...
    2025-07-19
  • 一种半导体结构及其制作方法
    一种半导体结构及其制作方法_苏州晶湛半导体有限公司_202311674990.2
    本申请实施例提供的一种半导体结构及其制作方法，半导体结构包括依次层叠设置的衬底、沟道层、势垒层、第一钝化层和第二钝化层，贯穿第一钝化层和第二钝化层设置通孔，位于第一钝化层的通孔的横截面积大于位于第二钝化层的通孔的横截面积，半导体层填充通孔，...
    2025-07-19
  • 绝缘栅双极型晶体管
    绝缘栅双极型晶体管_株洲中车时代半导体有限公司_202311677041.X
    本发明提出了一种绝缘栅双极型晶体管。所述绝缘栅双极型晶体管包括：依次层叠设置的阳极区、漂移区、N阱区、P阱区、P+区，和多个贯穿所述P+区、所述P阱区、所述N阱区并延伸至所述漂移区的沟槽栅，所述沟槽栅限定出沟道区和非沟道区，以及多个深P阱区...
    2025-07-19
  • 一种半导体结构及其制造方法
    一种半导体结构及其制造方法_苏州晶湛半导体有限公司_202311675693.X
    本公开提供了一种半导体结构及其制造方法，半导体结构包括层叠设置的衬底和多沟道异质结层，多沟道异质结层远离衬底的方向上为第1，…，第m，…，第n层异质结，每层异质结包括沟道层和势垒层；阳极和阴极，位于多沟道异质结层的两端，阳极包括至少一组阳极...
    2025-07-19
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