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申请/专利权人：深圳市华星光电技术有限公司

申请日：2014-12-31

公开（公告）日：2017-11-03

公开（公告）号：CN104617102B

专利技术分类：..其衬底为非半导体的，例如为绝缘体的[2006.01]

专利摘要：本发明提供一种阵列基板及其制造方法，所述阵列基板包括基板、公共电极、遮光层、绝缘层、多晶硅层、栅极绝缘层、栅极、介质层及源漏极，其特征在于，所述公共电极形成所述基板上，所述遮光层位于所述公共电极上，所述绝缘层位于所述遮光层及公共电极上，所述栅极与所述公共电极通过过孔连接。本发明的阵列基板制造方法通过在基板上形成透明导电层及第一金属层后再通过一次光罩及多次蚀刻形成图案化后的公共电极及遮光层，节省了一道光罩；然后通过一次光罩蚀刻后形成连通公共电极及栅极的电极过孔，后续再进行介质层及源漏极制作，整体工艺之采用七道光罩，简化阵列基板管的加工工艺步骤，降低阵列基板的制作成本。

专利权项：一种阵列基板制造方法，所述方法包括，提供一基板，并在所述基板上依次沉积形成透明导电层及第一金属层；在所述第一金属层上形成光阻层，通过一次光罩图案化所述光阻层，使图案化的光阻层包括两个第一区域及第二区域，其中，所述第一区域的厚度大于所述第二区域的厚度；通过两次蚀刻工艺对所述透明导电层及第一金属层进行图案化，形成公共电极及遮光层；其中，所述遮光层包括在同一层的间隔设置的第一遮光区、第二遮光区及边缘区，所述边缘区正投影于所述公共电极上，所述第二区域正投影于边缘区上，所述两个第一区域正投影于所述第一遮光区及第二遮光区上；通过两次蚀刻工艺去除图案化的光阻层及位于所述公共电极上的边缘区；在所述遮光层及公共电极上形成绝缘层；在所述绝缘层上形成图案化的多晶硅层；其中，所述多晶硅层包括第一多晶硅区域及第二多晶硅区域，所述第一多晶硅区域正投影于所述第一遮光区上，所述第二多晶硅区域正投影于所述第二遮光区上；在所述多晶硅层及所述绝缘层上形成栅极绝缘层，通过光罩及蚀刻工艺在所述栅极绝缘层上形成电极过孔并定义第一类掺杂区；其中，所述过孔贯穿所述栅极绝缘层及绝缘层露出所述公共电极；所述第一类掺杂区位于所述第一多晶硅区域两侧；对所述第一类掺杂区注入第一类型离子；在所述栅极绝缘层上形成第二金属层，图案化第二金属层形成栅极，所述栅极通过电极过孔与所述公共电极连接。

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