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一种基体表面的TiAlN/TiAlCN多层膜涂层及其制备方法 

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摘要:本发明公开了一种基体表面的TiAlNTiAlCN多层膜涂层及其制备方法,该基体与TiAlNTiAlCN多层膜涂层之间为过渡涂层,该多层膜涂层由TiAlN膜与TiAlCN膜交替层叠形成周期排列,在一个周期中,TiAlN膜与TiAlCN膜的厚度之和为1纳米~20纳米,TiAlCN膜中C原子的原子百分含量为0.1%~5%。本发明的多层膜涂层具有高硬度、低内应力以及高韧性,能够提高基体的切削效率与抗腐蚀性,延长基体的使用寿命。本发明通过高功率脉冲磁控溅射技术沉积该多层膜涂层,克服了阴极电弧离子镀沉积速率太快无法制备纳米外延膜,以及直流磁控溅射制备薄膜过程中发生靶中毒的问题,通过调节基体的自转和公转速率以及调节对靶的数量,达到控制纳米调制周期的目的。

主权项:一种基体表面的TiAlNTiAlCN多层膜涂层的制备方法,其特征是:包括如下步骤:步骤1:镀膜腔体内通入气压为0.1Pa~2Pa的氩气,基体上施加‑200V~‑1600V的脉冲偏压,利用线性阳极层离子源电离氩离子刻蚀基体表面10分钟~30分钟,线性阳极层离子源电流为1A~3A;步骤2:镀膜腔体内通入氮气和氩气,保持氮气分压在0.2Pa~2Pa,氩气分压在0.1Pa~1Pa, 腔体内温度控制在350℃~500℃,用高功率脉冲磁控溅射技术制备过渡涂层;步骤3:镀膜腔体内通入氮气和氩气,保持氮气分压在0.2Pa~2Pa,氩气分压在0.1Pa~1Pa, 腔体内温度控制在300℃~500℃,选用TiAl合金靶和TiAlC合金靶作为对靶,TiAlC合金靶中C原子的原子百分含量为0.1%~5%,并且TiAl合金靶和TiAlC合金靶中Ti原子与Al原子的摩尔比相同,调节对靶的数量以及基体的公转和自转速率,用高功率脉冲磁控溅射技术制备TiAlN膜与TiAlCN膜交替层叠形成周期排列的TiAlNTiAlCN多层膜涂层,多层膜涂层的一个周期中,TiAlN膜与TiAlCN膜的厚度之和为1纳米~20纳米;步骤4:停止镀膜,继续往腔体里通入氮气和氩气,直至腔体内温度降至100℃以下取出基体。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 一种基体表面的TiAlN/TiAlCN多层膜涂层及其制备方法

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