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申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
摘要：本发明公开了一种利用OVL机台量测关键尺寸的方法，包括步骤：1在芯片上设计能过量测的OVL标记；2光刻成型后，利用OVL机台实际量测OVL标记，建立OVL量测程式，通过OVL大小反应关键尺寸大小；还包括步骤：3在经过上述方法得到的关键尺寸，通过CD-SEM的校准，从而得出两个系统之间的偏差。本发明利用相对廉价的OVL机台来量测关键尺寸，从而使工厂的产能调配，经济生产更加有弹力。
主权项：一种利用OVL机台量测关键尺寸的方法，包括步骤：（1）在芯片上设计能过量测的OVL标记；（2）光刻成型后，利用OVL机台实际量测OVL标记，建立OVL量测程式，通过OVL大小反应关键尺寸大小；（3）在经过上述方法得到的关键尺寸，通过CD‑SEM的校准，从而得出两个系统之间的偏差；所述步骤（1）中的OVL标记的设计方法如下：以芯片的中心点为中心,设计方块PAD，该方块PAD边长为m；以方块PAD的最左边距离m处，设计条形图形C1，C1的垂直方向长度为n，水平方向长度为a；以C1的最左边距离b处，设计条形图形C2，C2的垂直方向长度为p，水平方向长度为a；以方块PAD的最右边距离m处，设计条形图形C3，C3的垂直方向长度为p，水平方向长度为2a+b，其中，以C3的中心点为中心，挖空设计条形图形C4，C4的垂直方向长度为n，水平方向长度为b；方块PAD、条形图形C1、C2、C3、C4的中心点都在同一水平线上，并且利用条形图形C1、C2以方块PAD的45度中线对称，设计为C1′和C2′，同时，利用条形图形C3、C4以方块PAD的45度中线对称，设计为C3′和C4′。
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百度查询： 上海华虹宏力半导体制造有限公司 一种利用OVL机台量测关键尺寸的方法
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