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一种MPCVD腔体结构及MPCVD设备专利

发布时间:2018-12-05 17:27:30 来源:龙图腾网 导航: 龙图腾网> 最新专利技术> 一种MPCVD腔体结构及MPCVD设备

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申请/专利权人:长沙新材料产业研究院有限公司

申请日:2017-12-27

公开(公告)日:2018-06-12

公开(公告)号:CN108149223A

专利技术分类:..向反应室输入气体或在反应室中改性气流的方法[2006.01]

专利摘要:本发明涉及一种MPCVD腔体结构及MPCVD设备,包括中空的本体,所述本体上设有进气管,本体内壁上设有多个与进气管连通的进气口,所述多个进气口至少分为一层,同一层的各进气口均匀分布于本体内壁的同一高度处;所述本体上设有与本体内腔连通的出气管。本发明的腔体结构中气体经过进气管,多个进气口,均匀进入腔体,可保证腔体内部气体的均匀性;同时,进气口大小不同,可保证每个进气口的气流量基本相同,保障进气的均匀性;本发明设备设计紧凑,结构合理,便于操作,等离子体稳定且分布均匀,适于制备大面积、均匀的MPCVD沉积产品。

专利权项:一种MPCVD腔体结构,包括中空的本体(1),其特征在于,所述本体(1)上设有进气管(3),本体(1)内壁上设有多个与进气管(3)连通的进气口(6),所述本体(1)上设有与本体(1)内腔连通的出气管(17)。

百度查询: 长沙新材料产业研究院有限公司 一种MPCVD腔体结构及MPCVD设备

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