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申请/专利权人：大连大学
申请日：2008-09-17
公开（公告）日：2009-02-11
公开（公告）号：CN101361455A
专利技术分类：
专利摘要：本发明属于生物技术领域，尤其是甜樱桃优良品种“巨红”离体再生体系，组成该体系的过程是：1取茎段作为外植体。进行进行灭菌处理；2将灭菌后的外植体进行初代培养，并进行培养基的筛选，确定最佳初代培养基；3在初代培养的基础上，进行继代培养，进行培养基的筛选，确定最佳继代培养基；4在继代培养的基础上，进行生根培养，进行培养基的筛选，确定最佳生根培养基；5驯化；本发明的有益效果是，首次建立甜樱桃优良品种“巨红”离体再生体系、体系稳定，繁殖速度快，技术体系简便，易于掌握。所培育的苗木成本低、可用于多种用途。
专利权项：1、甜樱桃优质品种“巨红”离体再生体系，其特征在于，组成该体系的过程是：1取茎段作为外植体，进行进行灭菌处理；2将灭菌后的外植体进行初代培养，并进行培养基的筛选，确定最佳初代培养基；3在初代培养的基础上，进行继代培养，进行培养基的筛选，确定最佳继代培养基；4在继代培养的基础上，进行生根培养，进行培养基的筛选，确定最佳生根培养基；5驯化；具体步骤是：1外植体处理和初代培养：秋季剪去腋芽饱满的枝条，在室内水生7天，将枝条的外皮环剥去除，并用单面刀片清除腋芽基部的外层鳞片，把枝条剪成1.5-2cm的茎段，每个茎段含1个腋芽，将茎段放在500mL的烧杯内用2％的新洁尔灭浸泡15min，用流水冲洗5min，在无菌操作条件下进行外植体灭菌；75％乙醇处理30s，然后用无菌水冲洗一遍，再用2％次氯酸钠处理15min，用无菌水冲洗3-5遍，用无菌滤纸吸干水分，切下腋芽接种到初代培养基上，培养室内温度为22℃，光照强度为2500LX，光周期为12hd；2继代培养：外植体经初代培养，剪成单芽茎段接种到继代培养基上，以MS+6-BA1.0+IBA0.2，附加琼脂7gL，蔗糖30gL，茎段增殖系数最大，为5；3生根培养：以MS+6-BA0.2+IBA0.2，附加琼脂7gL，蔗糖30gL；4驯化。
百度查询： 大连大学 甜樱桃优质品种“巨红”离体再生体系
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