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申请/专利权人：住友电气工业株式会社
申请日：2010-03-23
公开（公告）日：2011-08-10
公开（公告）号：CN102150270A
专利技术分类：..按其构成材料的特征区分的[2006.01]
专利摘要：本发明提供了一种MOSFET 1。所述MOSFET 1包括：碳化硅SiC衬底2，所述碳化硅衬底2的主表面相对于{0001}面具有不小于50°且不大于65°的偏离角；半导体层21，所述半导体层21形成在所述SiC衬底2的所述主表面上；以及绝缘膜26，所述绝缘膜26形成为与所述半导体层21的表面接触。当绝缘膜26具有的厚度不小于30nm且不大于46nm时，其阈值电压不大于2.3V。当绝缘膜26具有的厚度大于46nm且不大于100nm时，其阈值电压大于2.3V且不大于4.9V。
专利权项：一种MOSFET1，3，其包括：碳化硅衬底2，所述碳化硅衬底的主表面相对于{0001}面具有不小于50°且不大于65°的偏离角；半导体层21，31，所述半导体层21，31形成在所述碳化硅衬底2的所述主表面上；以及绝缘膜26，所述绝缘膜26形成为与所述半导体层21，31的表面相接触并且具有不小于30nm且不大于46nm的厚度，所述MOSFET1，3具有不大于2.3V的阈值电压。
百度查询： 住友电气工业株式会社 MOSFET和用于制造MOSFET的方法
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