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申请/专利权人：因芬尼昂技术股份公司
申请日：2003-11-27
公开（公告）日：2008-10-22
公开（公告）号：CN100428519C
专利技术分类：
专利摘要：本发明是关于一种记忆胞元的制造方法、一种记忆胞元与一种记忆胞元装置。根据本发明之记忆胞元制造方法，于一基板中及或上形成一第一电传导区域，亦于距离该第一电传导区域一预定距离处形成一第二电传导区域，以使该第一与该第二电传导区域间形成一凹穴。该第一与该第二电传导区域皆配置为当施加一第一电压至该等电传导区域时，可自该等电传导区域至少其中之一形成一结构，该结构至少部分桥接该等电传导区域间的距离；当施加一第二电压至该等传导区域时，至少部分桥接该等电传导区域间距离的结构之材料则会回缩。
专利权项：1.一种用于制造一二进制信息记忆胞元的方法，●在一基板上形成一第一电传导区域；●在该第一电传导区域上形成一预定厚度的辅助结构；●在该辅助结构上形成一第二电传导区域；●在形成该第二电传导区域后，移除该辅助结构，使该第一电传导区域与该第二电传导区域间形成一凹穴，而该第一电传导区域与该第二电传导区域间的距离对应至一穿隧间隙；●建立该第一与该第二电传导区域，使得■在对该第一电传导区域与该第二电传导区域施加一第一电压时，形成一结构，其至少部分桥接该第一电传导区域与该第二电传导区域间之距离，该结构是由该第一电传导区域与该第二电传导区域至少其中之一的材料所形成；■在对该第一电传导区域与该第二电传导区域施加一第二电压时，使至少部分桥接该第一电传导区域与该第二电传导区域间距离的一结构之材料回缩。
百度查询： 因芬尼昂技术股份公司 制造记忆胞元之方法、记忆胞元及记忆胞元装置
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