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申请/专利权人：HGST荷兰有限公司
摘要：用于增强垂直磁各向异性的具有双MgO界面和CoFeB层的垂直自旋转移矩STT储存元件。一种用于在磁随机存储器MRAM中使用的磁隧道结MTJ，具有位于MgO隧道势垒层与上部MgO覆盖层之间的CoFeB合金自由层以及位于MgO覆盖层与Ta盖之间的CoFeB合金增强层。CoFeB合金自由层具有高Fe含量以引起具有MgO层的界面处的垂直磁各向异性PMA。为了避免由于具有MgO覆盖层的界面而在增强层中产生不必要的PMA，增强层应该具有低Fe含量。在将所有层沉积在基底上之后，对结构进行退火以使MgO结晶。CoFeB合金增强层展现出将Ta从Ta盖层扩散到MgO覆盖层中并且还通过在MgO界面处设置CoFeB而产生MgO的良好结晶度。
主权项：一种磁隧道结存储元件，包括：基底；铁磁基准层，所述基准层在所述基底上具有垂直磁各向异性，所述基准层具有与所述基准层的平面大致垂直的固定磁化；铁磁自由层，所述自由层包括Co、Fe和B并且具有垂直磁各向异性，所述自由层具有与所述自由层的平面大致垂直的磁化并且能够在大致平行于所述基准层的磁化与大致反平行于所述基准层的磁化之间转换；绝缘氧化物隧道势垒层，所述绝缘氧化物隧道势垒层位于所述基准层与所述自由层之间；绝缘氧化物覆盖层，所述绝缘氧化物覆盖层位于所述自由层上且与所述自由层接触；铁磁增强层，所述增强层位于所述绝缘氧化物覆盖层上且与所述绝缘氧化物覆盖层接触并且包括Co、Fe和B；以及非磁盖层，所述非磁盖层位于所述增强层上。
全文数据：
权利要求：
百度查询： HGST荷兰有限公司 用于增强垂直磁各向异性的具有双MgO界面和CoFeB层的垂直自旋转移矩(STT)储存元件
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