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申请/专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日：2005-01-20
公开（公告）日：2011-12-14
公开（公告）号：CN1910600B
专利技术分类：....结构的细节，例如，在该载体中电路的装配[2006.01]
专利摘要：作为非接触的ID标记，ID标签等被广泛使用，要求以很低的成本制造相当数量的ID标记。例如，要求附加到产品上的ID标记以每个1至几日元而制造，或者优选地少于1日元。因而，这种结构和工艺被要求以低成本大量地制造ID标记。在本发明的ID标记、ID卡和ID标签中所包含的薄膜集成电路器件，各包括诸如薄膜晶体管TFT的薄膜有源元件。因此，通过剥离在其上形成TFTs的衬底以分离元件，能够以低成本大量地制造ID标记等。
专利权项：一种ID标记，包括：标记基底，在其上形成天线；薄膜集成电路器件，该薄膜集成电路器件包括薄膜晶体管并被设置成与该标记基底接触；分隔片；以及粘结剂，该粘结剂被提供在标记基底和分隔片之间，其中，所述薄膜集成电路器件的厚度为5微米或更小。
百度查询： 株式会社半导体能源研究所 ID标记、ID卡和ID标签
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