龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：许国明
申请日：2015-03-27
公开（公告）日：2019-05-21
公开（公告）号：CN105428248B
专利技术分类：....半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长[2006.01]
专利摘要：本发明提供一种氧化铟纳米柱的制造方法及氧化铟纳米柱。本发明的氧化铟纳米柱的制造方法包括步骤：提供高温炉，其中高温炉分为第一区以及第二区；将至少一铟金属源放置于第一区，且将基板放置于第二区；将第一区的温度调变至第一温度，且将第二区的温度调变至第二温度，其中第一温度高于第二温度；以及当第一区的温度达到第一温度，且第二区的温度达到第二温度时，高温炉中通入氩气以及氧气，其中氩气与氧气比在30:1至70:1的范围内，以令多个氧化铟纳米柱形成于基板上。本发明可在省略金属触媒的设置下，有效率地制造出具有方向性的氧化铟纳米柱。
专利权项：1.一种氧化铟纳米柱，其特征在于，包括：尾部；顶部，与所述尾部相对；以及连接部，连接于所述尾部与所述顶部之间，其中所述顶部的平均直径大于所述连接部的平均直径以及所述尾部的平均直径，其中所述尾部靠近所述连接部的一部分的宽度朝所述连接部的方向逐渐减少，且所述尾部远离所述连接部的另一部分的宽度朝远离所述连接部的方向逐渐减少，其中所述顶部由铟构成，而所述连接部以及所述尾部分别由氧化铟构成。
百度查询： 许国明 氧化铟纳米柱的制造方法及氧化铟纳米柱
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号