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一种高温PIN-PHT压电陶瓷及其制备方法 

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申请/专利权人:西安电子科技大学

摘要:本发明公开了一种高温PIN‑PHT压电陶瓷及其制备方法,属于电子陶瓷材料技术领域;本发明采用传统的固相烧结法制备出了化学通式xPbIn0.5Nb0.5O3‑1‑xPbHf1‑yTiyO3,其中0.07≤x≤0.3,0.53≤y≤0.6的压电陶瓷。本发明通过将具有较小容差因子的铁电体PIN与电学性能较好的PHT固溶,构成三元PIN‑PHT压电陶瓷;其在保持较高居里温度的情况下仍然具有良好的压电性能;解决了现有技术中,压电性能与居里温度不能兼得的问题。

主权项:1.一种高温PIN-PHT压电陶瓷,其特征在于,所述高温PIN-PHT压电陶瓷的化学通式为xPbIn0.5Nb0.5O3-1-xPbHf1-yTiyO3,其中0.07<x<0.3,0.53≤y≤0.6。

全文数据:

权利要求:

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