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申请/专利权人：中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司
摘要：本发明公开一种自旋半导体ZrO2薄膜的制备方法，包括以下步骤：a、清洗衬底，去除衬底表面的污渍；b、将衬底置于磁控溅射腔室内，采用金属锆作为靶材，在衬底表面沉积ZrO2薄膜；c、采用离子注入机，以O2为氧源，对准ZrO2薄膜进行氧离子的注入，使氧过量，得到自旋半导体ZrO2薄膜；该方法利用ZrO2进行磁性改变，工艺简单，可控性、操作性强，且整个过程不会引入其他杂质。
主权项：1.一种自旋半导体ZrO2薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：a、清洗衬底，去除衬底表面的污渍；b、将衬底置于磁控溅射腔室内，采用金属锆作为靶材，在衬底表面沉积ZrO2薄膜；c、采用离子注入机，以O2为氧源，对准ZrO2薄膜进行氧离子的注入，使氧过量，得到自旋半导体ZrO2薄膜。
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