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申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司
摘要：本发明提供一种浅沟槽隔离结构及其制备方法，制备方法包括步骤：1）提供衬底，于衬底上依次形成叠置的垫氧化层和刻蚀阻挡层；2）于刻蚀阻挡层、垫氧化层及衬底内形成第一沟槽；3）于第一沟槽内形成侧壁保护层；4）形成硬掩膜层；5）于硬掩膜层及侧壁保护层内形成第二沟槽；6）形成第三沟槽，第三沟槽与第二沟槽相连通；7）于第三沟槽的侧壁和底部形成衬底氧化层；8）于第二沟槽及第三沟槽内形成隔离介质层；及9）去除刻蚀阻挡层和垫氧化层。本发明能避免在浅沟槽隔离结构的制备过程中产生边沟现象，有效降低寄生电流，保障器件的电学性能，提升生产良率。本发明的浅沟槽隔离结构，能够起到良好的隔离效果，提升器件性能。
主权项：1.一种浅沟槽隔离结构的制备方法，其特征在于，包括步骤：1提供衬底，于所述衬底上依次形成叠置的垫氧化层和刻蚀阻挡层；2于所述刻蚀阻挡层及所述垫氧化层内形成第一开口，并依据所述第一开口于所述衬底内形成第一沟槽；3于所述第一开口及所述第一沟槽内形成侧壁保护层，所述侧壁保护层的上表面与所述刻蚀阻挡层的上表面相平齐；4于所述刻蚀阻挡层和所述侧壁保护层表面形成硬掩膜层，并于所述硬掩膜层内形成第二开口；5依据所述第二开口于所述侧壁保护层内形成第二沟槽，所述第二沟槽的横向尺寸小于所述第一沟槽的横向尺寸，且所述第二沟槽上下贯通所述侧壁保护层以暴露出所述衬底；6于对应所述第二沟槽的所述衬底内形成第三沟槽，所述第三沟槽与所述第二沟槽相连通；7于所述第三沟槽的侧壁和底部形成衬底氧化层；8于所述第二沟槽及所述第三沟槽内形成隔离介质层，所述隔离介质层的上表面与所述刻蚀阻挡层的上表面相平齐；及9去除所述刻蚀阻挡层和所述垫氧化层。
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百度查询： 长鑫存储技术有限公司 浅沟槽隔离结构及其制备方法
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