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申请/专利权人：深圳市芯波微电子有限公司

摘要：本申请公开了一种CTLE电路、高速均衡电路和高速信号收发芯片，当该电路的运算放大器、晶体管M1、电阻Rdac、电流源Idac和电流源Iref构成的反馈回路稳定时，运算放大器的同相输入端的电压与反相输入端的电压相同，晶体管M1的导通电阻与电阻Rdac、电流源Idac和Iref相关；当三极管Q2的基极电压为差分电路的第一输入端口的电压与第二输入端口之间的电压的平均值时，晶体管M0的工作点和晶体管的工作点相同，晶体管M0的导通电阻随着晶体管M1的导通电阻的改变而改变。采用申请实施例实现了不同幅度的高频补偿，避免了传统数字控制EQ电路中开关管的寄生参数影响。

主权项：1.一种连续时间线性均衡器CTLE电路，其特征在于，包括：差分电路、MOS晶体管M0、电容CE、三极管Q2、电阻Rdac、MOS晶体管M1、电流源Idac、电流源Iref和运算放大器；其中，所述MOS晶体管M0的源极和所述电容CE的第一端口连接至所述差分电路的第一端口，所述MOS晶体管M0的漏极和所述电容CE的第二端口连接至所述差分电路的第二端口，所述晶体管Q2的集电极和所述差分电路的第三端口均连接至直流电压源VCC，所述电阻Rdac的第一端口和所述MOS晶体管M1的漏极连接至所述三极管Q2的发射极，所述电阻Rdac的第二端口和所述MOS晶体管M1的源极分别连接至所述电流源Idac的正极和电流源Iref的正极，所述电流源Idac的负极和电流源Iref的负极均接地，所述运算放大器的同相输入端和反相输入端分别连接所述电流源Idac的正极和电流源Iref的正极，所述运算放大器的输出端连接至所述MOS晶体管M1的栅极和所述MOS晶体管M0的栅极；当所述运算放大器、所述MOS晶体管M1、所述电阻Rdac、所述电流源Idac和所述电流源Iref构成的反馈回路稳定时，所述运算放大器的同相输入端的电压与反相输入端的电压相同，所述MOS晶体管M1的导通电阻Ron_M1＝Idac*RdacIref，当所述三极管Q2的基极电压为所述差分电路的第一输入端口的电压与第二输入端口之间的电压的平均值时，所述MOS晶体管M0的工作点和所述MOS晶体管的工作点相同，所述MOS晶体管M0的导通电阻随着所述MOS晶体管M1的导通电阻的改变而改变；其中，所述电阻Rdac为阻值可调的电阻，和或，所述电流源Idac和电流源Iref中的至少一个为输出电流可调节的电流源。

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