龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：北京工业大学
摘要：一种具有光子晶体结构的侧面入射的SOI基SiSiGeHPT的制备方法，属于半导体技术领域，制备方法包括：在SOI衬底上制备SOI基SiSiGeHPT外延材料，制备光子晶体结构，刻蚀形成基区、集电区台面，外延钝化层，刻蚀电极接触孔，制作金属电极。相比传统SiSiGeHPT具有以下优点：利用光子晶体的点缺陷和线缺陷特性将入射光困在器件内提高器件对光的吸收率，同时采用光从侧面入射的方式相比于垂直入射方式可以保证吸收层厚度不变的情况下增加器件对光的吸收长度，同样也提高了器件对光的吸收率。
主权项：1.一种具有光子晶体结构的侧面入射型SOI基SiSiGeHPT的制备方法，包括以下步骤：1在p型SOI衬底上依次外延生长n型Si次集电区、n型Si集电区、p型SixGe1-x基区、n型多晶Si发射区；2从n型Si次集电区到n型多晶Si发射区层都是有源硅区，在整个有源硅区中制作光子晶体结构；光子晶体结构，包括周期排列的空气柱701与Si介质702；所述空气柱孔径d为250-800nm，光子晶体结构周期L为450-2000nm；3刻蚀基区、集电区台面；4淀积绝缘层；5刻蚀接触孔；6光刻制作金属电极形成欧姆接触；
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京工业大学 一种具有光子晶体结构的侧面入射型SOI基Si/SiGe HPT的制备方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号