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申请/专利权人：广东高云半导体科技股份有限公司
申请日：2020-09-17
公开（公告）日：2021-08-03
公开（公告）号：CN112100098B
专利技术分类：...有优先级控制的[2006.01]
专利摘要：本发明提供了一种DDR控制系统及DDR存储系统，以集成在同一片上系统中的MCU内核和FPGA内核组成的SoC架构为基础，基于FPGA内核中的逻辑资源来实现MCU和片外DDR存储器之间的DDR控制系统，该DDR控制系统为片内DDR控制系统，包括MCU总线映射模块、DDR数据缓存模块以及DDR控制器模块，且基于FPGA可编程的特点，实现DDR控制器模块的数量以及MCU总线映射模块映射出的子系统总线的数量可以动态调整，用户可以动态配置MCU外部的DDR控制器模块的数量，并进一步通过DDR控制器模块动态配置所接入的片外DDR存储器，以达到片外DDR存储器的功能和数据动态可配的目的，提高了MCU的扩展性和易用性，有助于用户快速应用DDR存储器。
专利权项：1.一种DDR控制系统，其特征在于，所述DDR控制系统为基于具有FGPA与MCU的SoC架构而实现的片内DDR控制系统，所述DDR控制系统包括集成在同一片上系统中的MCU内核和FPGA内核，所述FPGA内核逻辑资源设置有：DDR控制器模块，所述DDR控制器模块用于基于所述FPGA内核的逻辑资源实现DDR总线标准协议，并连接位于所述片上系统外部的相应的片外DDR存储器；MCU总线映射模块，所述MCU总线映射模块用于将所述MCU内核的MCU系统总线，映射为数量能够动态配置的多条子系统总线；DDR数据缓存模块，用于将相应的DDR控制器模块与所述MCU总线映射模块连接，并实现所述MCU内核和相应的所述DDR控制器模块之间跨时钟数据同步。
百度查询： 广东高云半导体科技股份有限公司 DDR控制系统及DDR存储系统
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