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申请/专利权人：桂林理工大学
摘要：本发明公开了一种稀土四氟化物NalnF4薄膜及其制备方法，包括以下步骤：以稀土硝酸盐的水溶液作为电沉积溶液，采用脉冲电压沉积法制备得到稀土层状氢氧化物薄膜；将氟化钠溶解获得溶液，调节pH值；将所述稀土层状氢氧化物薄膜浸没于所述氟化钠溶液中，进行置换反应，得到稀土四氟化物薄膜。本发明提供的制备方法反应条件温和、操作简单，制备得到的稀土四氟化物薄膜平整且均匀，薄膜附着度高，结晶性好。
主权项：1.一种稀土四氟化物NalnF4薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：以稀土硝酸盐的水溶液作为电沉积溶液，采用脉冲电压沉积法制备得到稀土层状氢氧化物薄膜；将氟化钠和水混合后调节pH值至8~11，得到氟化钠溶液；所述氟化钠溶液的浓度为0.05~1molL；所述氟化钠和稀土层状氢氧化物的摩尔比≥40；将所述稀土层状氢氧化物薄膜浸没于所述氟化钠溶液中，进行置换反应，得到稀土四氟化物薄膜；所述脉冲电压沉积法采用的三电极体系包括工作电极、辅助电极和参比电极，所述工作电极为透明导电玻璃；所述辅助电极为Pt网；所述参比电极为AgAgClCl-电极；所述透明导电玻璃的一侧镀有ITO层、FTO层或AZO层；所述脉冲电压沉积法的工作参数为：沉积电压为-0.8~-1.3V，间隔时间为10~60s，总沉积时间为5~120min；所述脉冲电压沉积法的步骤包括：在沉积电压U1条件下进行第一沉积，所述第一沉积时间为t1，间隔时间为t2，重复2~4次，然后在沉积电压U2条件下进行第二沉积，所述第二沉积时间为t3，间隔时间为t4，重复2~3次；所述U1为-0.8~-1.3V；所述t1为1~3min；所述t2为10~60s；所述t3为1~3min；所述t4为10~60s。
全文数据：
权利要求：
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