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一种K+预嵌入诱导多电子反应的镁离子电池正极材料KVS4/N-TG及应用 

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申请/专利权人:青岛科技大学

摘要:本发明公开了一种K+预嵌入诱导多电子反应的镁离子电池正极材料KVS4N‑TG及应用,属于电池材料技术领域。将偏钒酸铵制备成水溶液后再与过量的硫代乙酰胺乙二醇溶液混合,与采用气相沉积法制备的生长有N‑TG的碳片一同转移到反应釜中,于180℃进行水热反应4h;烘干产物后用电化学方法在K2SO4溶液中进行K+预嵌入,得到镁离子电池正极材料KVS4N‑TG。本发明通过K+预嵌入在插层型正极材料中,不仅能实现多电子反应,还能保持正极材料的结构稳定性,提高了镁离子电池的电化学性能。由其组装的镁离子电池,具有高比容量和优异的循环稳定性,具有广阔的应用前景。

主权项:1.一种K+预嵌入诱导多电子反应的镁离子电池正极材料KVS4N-TG及应用,其特征在于,制备过程如下:将偏钒酸铵于60℃磁力搅拌下溶于水中,制备出浓度为0.167M的水溶液;称取过量的硫代乙酰胺溶于与上述水溶液等体积的乙二醇中;将上述两种溶液完全混合后与生长有N-TG的碳片一起转移至反应釜中,于180℃反应4h,待反应结束后,分别用去离子水和无水乙醇清洗碳片3次,真空干燥;采用电化学方法,在20mAcm–2的电流密度,0~1.2V的电压范围内,在浓度为1M的K2SO4溶液中进行K+预嵌入,反应结束后,用去离子水冲洗样品3次,真空烘干后,得到K+预嵌入的镁离子电池正极材料KVS4N-TG。将得到的镁离子电池正极材料KVS4N-TG组装成扣式镁离子电池,电化学性能测试的电压窗口为0.2~2.1V,电流密度为0.05和1Ag-1。

全文数据:

权利要求:

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