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申请/专利权人：西南交通大学
摘要：本发明公开了一种AlGaN沟槽的增强型高压GaN基垂直HFET装置，包括外延层、GaN衬底以及SiN钝化层，外延层设置在所述GaN衬底的上方；SiN钝化层设置在所述外延层的上方；外延层从下到上依次包括：GaN缓冲层、AlGaN沟槽、AlGaN势垒层；本发明通过增加AlGaN沟槽，采用基于AlGaN沟槽的垂直器件结构，解决了现有GaNHEMT器件为耗尽型器件的问题，将器件改进为增强型器件，实现常关状态，在提升了反向击穿电压的同时不存在电流崩塌现象。
主权项：1.一种AlGaN沟槽的增强型高压GaN基垂直HFET装置，其特征在于，包括：GaN衬底101、外延层以及SiN钝化层107；所述外延层设置在所述GaN衬底101的上方；所述SiN钝化层107设置在所述外延层的上方；所述外延层采用纵向结构，从下到上依次包括：GaN缓冲层102、AlGaN沟槽104、AlGaN势垒层105；所述AlGaN沟槽104与所述AlGaN势垒层105构成T字结构，所述GaN缓冲层102上且所述AlGaN沟槽104的两侧对称设置有P型电流阻挡层103，P型电流阻挡层103上方设置有GaN沟道层106；所述AlGaN沟槽104两侧设置有栅极110；所述栅极110的两侧分别与P型电流阻挡层103和GaN沟道层106接触；所述栅极110的上、下方分别与AlGaN势垒层105和GaN缓冲层102接触；所述SiN钝化层107设置在AlGaN势垒层105上方；所述P型电流阻挡层103的上方且GaN沟道层106的侧面设置有源极108；SiN钝化层107的左右两端均与源极108接触；漏极109设置在所述GaN衬底101的底部。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西南交通大学 一种AlGaN沟槽的增强型高压GaN基垂直HFET装置
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