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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日：2018-12-06
公开（公告）日：2022-04-05
公开（公告）号：CN110323152B
专利技术分类：.专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置[2006.01]
专利摘要：在实施例中，一种热评测方法包括：在配置以进行半导体工件制程的平台上生成相变材料，将相变材料设定至非晶态，在半导体加工腔室内执行半导体工件制程，以及沿相变材料测量跨越两点的阻抗。
专利权项：1.一种热评测方法，包括：在配置以进行一半导体工件制程的一平台的表面上生成一相变材料，其中该平台为一晶圆支撑结构，配置以支撑一晶圆，且该半导体工件制程为以热为基础的加工；将该相变材料设定至一非晶态；在一半导体加工腔室内执行该半导体工件制程；以及沿该相变材料测量跨越两点的阻抗。
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 热评测系统及热评测方法
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