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一种基于LIG法制备石墨烯高温电热膜的方法 

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申请/专利权人:安徽宇航派蒙健康科技股份有限公司

摘要:本发明提供一种基于LIG法制备石墨烯高温电热膜的方法,包括:S1、形成PI‑铜电极的复合体层,铜电极全部嵌合或局部嵌合到PI膜中;S2、再在PI膜‑铜电极的复合体层表面形成PI材料层,构成PI‑铜电极‑PI材料层待LIG层的组合体;S3、对PI材料层进行LIG处理,激光透导使其形成石墨烯发热层图案,构成PI膜‑铜电极复合体层‑图案化石墨烯层LIG层的结构;和S4、在图案化石墨烯层表面封装保护膜层。

主权项:1.一种基于LIG法制备石墨烯高温电热膜的方法,其特征在于,包括:S1、形成PI-铜电极的复合体层,铜电极全部嵌合或局部嵌合到PI膜中;S2、再在PI膜-铜电极的复合体层表面形成PI材料层,构成PI-铜电极-PI材料层的组合体;S3、对PI材料层进行LIG处理,激光透导使其形成石墨烯发热层图案,构成PI膜-铜电极复合体层-图案化石墨烯层的结构;和S4、在图案化石墨烯层表面封装保护膜层;所述S1的具体方法为:在铜电极表面,涂布热塑性PI预聚体聚酰胺酸,干燥半固化形成聚酰胺酸膜,再与PI膜进行高温压合并亚胺化,形成PI-铜电极复合体;所述S2的具体方法为:S2-1、在到S1制得的PI膜-铜电极复合体层表面涂布热塑性PI预聚体聚酰胺酸,干燥形成半固化聚酰胺酸膜,在此过程中,对铜箔电极端子区进行局域保护,确保表面端子区不覆盖PI预聚体,干燥,使PI预聚体形成半固化聚酰胺酸膜;S2-2、对形成的聚酰胺酸膜完成亚胺化处理,形成PI-铜电极-PI材料层的组合体。

全文数据:

权利要求:

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