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申请/专利权人：国际商业机器公司
摘要：提供一种存储器单元，其中磁阻随机存取存储器MRAM器件的底部电极连接到晶体管的源极漏极接触结构之一，并且下接触结构连接到晶体管的源极漏极接触结构中的另一个。在本申请中，MRAM器件和下接触结构存在于中间制程MOL而不是后段制程BEOL，而且，MRAM器件的底部电极和下接触结构的下部部分存在于相同的电介质材料即，MOL电介质材料中。
主权项：1.一种存储器单元，包括：前端制程FEOL层级，其包括跨越在半导体鳍之上的栅极结构，其中源极漏极结构位于所述栅极结构的每一侧上，并且源极漏极接触结构位于每个源极漏极结构上；中间制程MOL层级，其位于所述FEOL上方并且包括磁阻随机存取存储器MRAM器件和下接触结构，其中所述MRAM器件的底部电极接触位于所述栅极结构的一侧上的所述源极漏极接触结构中的一个，并且所述下接触结构接触位于所述栅极结构的另一侧上的所述源极漏极接触结构中的另一个；以及后段制程BEOL层级，其位于所述MOL层级上方并且包括接触所述下接触结构的表面的第一上接触结构以及接触所述MRAM器件的顶部电极的表面的第二上接触结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 国际商业机器公司 对于快速1T1m单元将MRAM整合到MOL中
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