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申请/专利权人：安徽大学
摘要：本发明公开了一种忆阻耦合Hindmarsh‑Rose神经元电路，应用于神经元电路设计技术领域，包括分数阶磁通控制的理想忆阻器、分数阶双曲型忆阻器和分数阶阈值忆阻器；分数阶磁通控制的理想忆阻器和分数阶双曲型忆阻器分别引入到二维Hindmarsh‑Rose神经元模型中构建第一三维Hindmarsh‑Rose神经元模型、第二三维Hindmarsh‑Rose神经元模型；将两个三维Hindmarsh‑Rose神经元模型运用分数阶阈值忆阻器进行耦合。本发明通过建立两个不同的三维神经元模型，并使用分数阶阈值忆阻器进行耦合，具有丰富的放电行为，有效的反映出了人类大脑神经元的放电行为。
主权项：1.一种忆阻耦合Hindmarsh-Rose神经元电路，其特征在于，包括分数阶磁通控制的理想忆阻器、分数阶双曲型忆阻器和分数阶阈值忆阻器；所述分数阶磁通控制的理想忆阻器和所述分数阶双曲型忆阻器分别引入到二维Hindmarsh-Rose神经元模型中构建第一三维Hindmarsh-Rose神经元模型、第二三维Hindmarsh-Rose神经元模型；所述第一三维Hindmarsh-Rose神经元模型和所述第二三维Hindmarsh-Rose神经元模型运用所述分数阶阈值忆阻器进行耦合；忆阻耦合Hindmarsh-Rose神经元电路的数学模型由以下方程表示： 其中x和y是快变量，代表第二三维Hindmarsh-Rose神经元模型的膜电位与恢复变量，z是慢变量，代表第二三维Hindmarsh-Rose神经元模型的自适应电流；u和v是快变量，代表第一三维Hindmarsh-Rose神经元模型的膜电位与恢复变量，w是慢变量，代表第一三维Hindmarsh-Rose神经元模型的自适应电流，代表磁通，D为微分算子，为分数阶次，k1、k2代表磁通控制系数，k3代表磁通反馈系数，是两个异质分数阶Hindmarsh-Rose神经元模型之间的耦合权重，、为带有双曲型忆导函数的忆阻器的两个状态变量，a、b、c、d为常系数。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 安徽大学 一种忆阻耦合Hindmarsh-Rose神经元电路
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