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申请/专利权人：西安电子科技大学
摘要：本发明公开了一种含InGaN子阱结构的YAlNGaN双势垒共振隧穿二极管及其制作方法，主要解决现有GaN共振隧穿二极管峰值电流低、峰谷电流比小和性能一致性差的问题。其自下而上包括衬底、GaN外延层、n+GaN发射极欧姆接触层、GaN隔离层、第一势垒层、第二势垒层、InN隔离层、n+InN集电极欧姆接触层、集电极电极，其中两势垒层之间依次为第一GaN主量子阱层、In组分为3％‑5％的InGaN子量子阱层、第二GaN主量子阱层；两势垒层的Y组分均为6％‑15％的YAlN。本发明共振隧穿二极管峰值电流高、峰谷电流比大、峰值隧穿电压低、具有对称特性微分负阻效应，可用于高频太赫兹辐射源和高速数字电路。
主权项：1.一种含InGaN子阱结构的YAlNGaN双势垒共振隧穿二极管，自下而上包括衬底1、GaN外延层2、n+GaN发射极欧姆接触层3、GaN隔离层4、第一势垒层5、第二势垒层9、隔离层10、集电极欧姆接触层11、集电极电极12，GaN隔离层4两侧设有环形发射极电极13，GaN隔离层4到集电极电极12的外部包裹有钝化层14，所述的隔离层10，采用厚度为2nm-4nm的InN，其特征在于：所述的第一势垒层5和第二势垒层9之间依次增设有第一GaN主量子阱层6、InyGa1-yN子量子阱层7、第二GaN主量子阱层8；所述的第一势垒层5和第二势垒层9，均采用Y组分x在6％-15％之间，厚度为1nm-3nm，且Y组分一致、厚度相同的YxAl1-xN；所述的集电极欧姆接触层11，采用厚度为80nm-100nm、掺杂浓度在1x1019cm-3-1x1020cm-3之间的n+InN。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安电子科技大学 含InGaN子阱结构的YAlN/GaN双势垒共振隧穿二极管及其制作方法
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