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申请/专利权人：长春长光辰芯光电技术有限公司;大连长光辰芯微电子有限公司;杭州长光辰芯微电子有限公司

摘要：本发明实施例中提供的COMS图像传感器上的光响应非均匀性校正方法及装置，在进行非均匀性校正的过程中，本发明可以离线计算出图像在不同饱和度下的偏移量，在线计算时，只需要知道一个标准的校正矩阵，通过不同饱和度下的偏移量即可获得该饱和度下的校正矩阵参数，在校正计算的过程中，引入线性插值法、非线性插值法、最近邻原则，校准标准参数矩阵，增加校正精度。不仅有效解决CMOS图像出现的横竖条纹问题，提高图像质量，还降低了校正参数的存储量等问题，大幅度提高了非均匀性校正精度。本发明对于图像传感器芯片成像系统具有计算过程简单，内存开销小，软件按迁移好，硬件可移植性高等优点。

主权项：1.一种COMS图像传感器上的光响应非均匀性校正方法，其特征在于，包括：对CMOS图像传感器进行原始图像采集得到n组饱和度为φ1,φ2,φ3,……φn的图像，以及相应图像的暗场图像，n为正整数；对n组所述暗场图像进行叠加，去掉时间域上的奇异值后，进行求均值计算得到暗场均值矩阵；对采集到的n组不同饱和度图像分别进行叠加，去掉时间域上的奇异值后，进行求均值计算得到不同饱和度均值矩阵；利用所述不同饱和度均值矩阵分别减去所述暗场均值矩阵得到全幅矩阵以及所述全幅矩阵的各像素灰度值；对所述全幅矩阵进行取均值处理并与所述全幅矩阵的各像素灰度值相除得到n组第一校正矩阵，将所述n组第一校正矩阵中任选一组第一校正矩阵作为基准校正矩阵；针对所述n组不同饱和度图像，分别确定所述第一校正矩阵在交叉线上方所有行像素和下方所有行的像素均值；所述交叉线上侧k行的饱和度φ1组和其他饱和度像素均值分别相减，得到对应的n-1组第一偏移量offset1,所述交叉线下侧k行的饱和度φ1组和其他饱和度像素均值分别相减，得到n-1组第二偏移量offset2；在所述基准校正矩阵交叉线上侧矩阵每个像素值分别加第一偏移量offset1，交叉线下侧矩阵每个像素值分别加第二偏移量offset2，得到φ2,φ3,……φn饱和度的第二校正矩阵；基于φ2,φ3,……φn饱和度的第一校正矩阵和所述第二校正矩阵，分别计算在交叉线左侧k列像素的均值和交叉线右侧k列像素的均值。k为正整数；利用交叉线左侧k列像素的均值和交叉线右侧k列像素的均值确定三偏移量offset3和第四偏移量offset4；确定输入图像的暗场图像，并确定所述输入图像和所述输入图像的暗场图像进行减法运算；遍历每个像素点，利用引入线性插值法、非线性插值法、最近邻原则，校准标准参数矩阵对像素所在区域进行判断，将所述输入图像根据交叉分界线分为左上、右上、左下、右下四个区域；获取所述像素所在区域的基准校正矩阵的参数param，并利用第一偏移量、第二偏移量、第三偏移量和第四偏移量分别确定所述四个区域的像素校正参数；利用所述像素和所述四个区域的像素校正参数确定校正像素，完成校正。

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