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申请/专利权人:迈思普电子股份有限公司
摘要:本发明具体涉及一种Diode‑IFSM‑Tj测试治具,包括电源模块、脉冲发生模块、可调直流电源BAT1、电容模组、开关控制模块、驱动模块、晶体管模组以及开关管Q2;开关控制模块的输出端以及驱动模块的输出端分别与开关管Q2的控制端连接;开关管Q2的开关端与晶体管模组的控制端连接;电容模组的一端通过晶体管模组的开关端与待测二极管的一端连接。本发明通过设置电源模块、脉冲发生模块、可调直流电源BAT1、电容模组、开关控制模块、驱动模块、晶体管模组以及开关管Q2,能够对单体二极管器件施加规定的浪涌电流,并且能够在施加能量后评估晶体的瞬态温度,另外二极管器件在浪涌电流有保证的情况下提高系统可靠性。
主权项:1.一种Diode-IFSM-Tj测试治具,其特征在于:包括电源模块、脉冲发生模块、可调直流电源BAT1、电容模组、开关控制模块、驱动模块、晶体管模组以及开关管Q2;所述电源模块用于给脉冲发生模块、开关控制模块、驱动模块、晶体管模组以及开关管Q2供电;所述可调直流电源BAT1用于给电容模组充电;所述脉冲发生模块的输出端分别与驱动模块的输入端以及开关控制模块的输入端连接;所述开关控制模块的输出端以及驱动模块的输出端分别与开关管Q2的控制端连接;所述开关管Q2的开关端与晶体管模组的控制端连接;所述电容模组的一端通过晶体管模组的开关端与待测二极管的一端连接;所述电容模组的另一端与待测二极管的另一端连接;所述Diode-IFSM-Tj测试治具还包括第一电压测量口以及第二电压测量口;所述第一电压测量口以及第二电压测量口分别设于待测二极管的两端。
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权利要求:
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