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申请/专利权人：西安微电子技术研究所
摘要：本发明涉及集成电路设计领域，具体为一种准互补乙类输出级电路结构，在三极管Q1的集电极C与输出功率上拉管内的三极管Q2的基极B之间加入三极管QP，其与三极管Q1共射结构可形成渥尔曼电路，其高频特性更好，可以弥补双极工艺中pnp管频率特性差对运算放大器工作频率带来的影响。三极管QP的基极B输入可自由偏置。该结构可兼容含JFET工艺双极工艺，三极管Q3可用JFET管代替，同时将二极管Q5或二极管Q6替换为一个二极管连接方式的JFET管，减小温度影响，得到与温度无关的旁路电流，三极管Q4的发射极与基极间加入反馈电阻可提高高频下开关速度。
主权项：1.一种准互补乙类输出级电路结构，其特征在于，包括电源电压VCC、模拟地信号GND、输出信号Vout、偏置电路1、渥尔曼电路2、电压偏置电路3、共源放大级电路4、输出功率上拉管5和输出复合pnp功率下拉管6；所述偏置电路1的一端连接电源电压VCC，另一端接地；所述渥尔曼电路2的一端连接电源电压VCC，另一端与电压偏置电路3的一端串联，电压偏置电路3的另一端与共源放大级电路4的一端串联，共源放大级电路4的另一端连接至模拟地信号GND；所述输出功率上拉管5的一端连接至电源电压VCC；输出功率上拉管5的另一端串联至输出复合pnp功率下拉管6的一端，复合pnp功率下拉管6的另一端连接至模拟地信号GND，所述渥尔曼电路2的一端连接至偏置电路1上，输出功率上拉管5连接至渥尔曼电路2和电压偏置电路3之间。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安微电子技术研究所 一种准互补乙类输出级电路结构
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