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申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司

摘要：本发明提供一种pump电路，包括分压电路、比较器、时钟控制电路、电荷泵和电源电路；电荷泵的输出端输出第一正电压VPOS，第二正电压VPOSW从电荷泵的中间抽头输出；分压电路连接在第一正电压VPOS和地之间并输出分压DIV；比较器比较分压DIV和参考电压VREF并输出时钟控制信号；时钟控制信号输入到时钟控制电路的控制端，时钟信号PCLK通过时钟控制电路输入到电荷泵的输入端；时钟控制电路和电荷泵的电源电压为VDDI，VDDI由电源电路产生。本发明在电源模块中增加NMOS管N2，在pump模块中增加输出第二正电压VPOSM，并将VPOSM接到NMOS管N2的漏端，实现了低压pump启动时，NMOS管N1充分导通，VDDI无限接近于电源电路的外部总电源的目的，而且提升了pump电路的输出正电压VPOS的电压值。

主权项：1.一种pump电路，其特征在于，包括分压电路、比较器、时钟控制电路、电荷泵和电源电路；所述电荷泵的输出端输出第一正电压VPOS，第二正电压VPOSW从所述电荷泵的中间抽头输出；所述分压电路连接在所述第一正电压VPOS和地之间并输出分压DIV；所述比较器比较所述分压DIV和参考电压VREF并输出时钟控制信号；所述时钟控制信号输入到所述时钟控制电路的控制端，时钟信号PCLK通过所述时钟控制电路输入到所述电荷泵的输入端，所述时钟控制信号调节所述时钟信号PCLK输入到所述电荷泵的幅度，通过对所述时钟信号PCLK的幅度的调节来调节所述第一正电压VPOS和所述第二正电压VPOSW的大小；所述电源电路包括第一电流路径、第二电流路径和NMOS管N2，所述第一电流路径和第二电流路径都连接在外部总电源和地之间，所述第一电流路径包括串联的第一电流源、MOS管和三极管，所述第二电流路径包括NMOS管N1和第二电流源；所述第一电流源的一端接所述外部总电源，另一端与所述NMOS管N1的栅极和所述NMOS管N2的源极相连，所述NMOS管N2的栅极接所述外部总电源，所述第二正电压VPOSM输出到所述NMOS管N2的漏端，所述NMOS管N1的源极接所述外部总电源，漏极输出所述时钟控制电路和所述电荷泵的电源电压电压VDDI。

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