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申请/专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
摘要：本发明提供一种TMAH刻蚀中增加氧含量的方法，提供湿法刻蚀机台，湿法刻蚀机台中包含TMAH管路和TMAH回流管路；TMAH管路的出液口和TMAH回流管路的出液口通往混合液罐；TMAH回流管路的进液口连接有回流罐；在含有TMAH的回流罐中通入氮气，以减少回流罐中TMAH的氧含量；将TMAH经TMAH管路的出液口通入混合液罐，使混合液罐持续通入第一时间段的TMAH；将回流罐中TMAH经TMAH回流管路的出液口通入混合液罐，使混合液罐持续通入第二时间段的TMAH，使得混合液罐中TMAH的氧浓度为7.8～8.2ppm。本发明可以使得混合罐中氧浓度维持稳定，从而TMAH刻蚀维持稳定，能够刻蚀硅形成更好的Sigma形状。
主权项：1.一种TMAH刻蚀中增加氧含量的方法，其特征在于，至少包括：步骤一、提供湿法刻蚀机台，所述湿法刻蚀机台中包含TMAH管路和TMAH回流管路；所述TMAH管路的出液口和TMAH回流管路的出液口通往混合液罐；所述TMAH回流管路的进液口连接有回流罐；步骤二、在含有TMAH的所述回流罐中通入氮气，以减少所述回流罐中TMAH的氧含量；步骤三、将TMAH经所述TMAH管路的出液口通入所述混合液罐，使所述混合液罐持续通入第一时间段的TMAH；步骤四、将所述回流罐中TMAH经所述TMAH回流管路的出液口通入所述混合液罐，使所述混合液罐持续通入第二时间段的TMAH，使得所述混合液罐中TMAH的氧浓度为7.8～8.2ppm。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华力集成电路制造有限公司 一种TMAH刻蚀中增加氧含量的方法
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