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一种CoFeB靶材及其制备方法 

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申请/专利权人:有研亿金新材料有限公司;有研亿金新材料(山东)有限公司

摘要:本发明涉及溅射靶材技术领域,尤其涉及一种CoFeB靶材及其制备方法,制备方法包括如下步骤:1原材料坯料熔融;2二次加料;3搅拌;4熔体浇铸;5靶材制备。本发明的制备方法依次经过原材料坯料熔融、二次加料、搅拌后进行熔体浇铸直接得到组织均匀、性能良好的CoFeB铸锭,后续通过切片、机加工及焊接等工序制备得到CoFeB靶材,得到的CoFeB靶材具有密度高、组织均匀、氧含量低≤100wtppm等优点,能满足磁控溅射要求,可被广泛应用于制备磁头、磁阻传感器以及磁阻元件MRAM等领域。本发明的制备方法还可有效解决B含量升高带来的塑性差、易开裂问题。

主权项:1.一种CoFeB靶材的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:1原材料坯料熔融:将含钴、铁、硼的原材料坯料熔炼至融化,以得到熔液;所述原材料坯料的熔点≤1200℃;2二次加料:在T℃下,将含硼的二次加料粉体加入至步骤1得到的所述熔液中,再进行保温处理,得到合金熔体;其中,所述原材料坯料的熔点≤T℃<所述二次加料粉体的熔点;3搅拌:将步骤2得到的所述合金熔体进行搅拌至所述二次加料粉体均匀分布于所述熔液中;4熔体浇铸:将经过步骤3处理后的所述合金熔体进行浇铸成型,得到CoFeB铸锭;5靶材制备:采用步骤4得到的所述CoFeB铸锭制备得到CoFeB靶材。

全文数据:

权利要求:

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