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申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
摘要：本发明公开了一种SONOSEEPROMVPOSPUMP输出电压产生电路及控制方法，所述电路包含：电荷泵模块，包含不少于4个的多个电荷泵电路，所述的多个电荷泵之间具有不少于3个的开关；所述的多个开关能通过外部控制信号进行选择性的开启和闭合，以改变所述的多个级联的电荷泵电路之间的连接状态，实现模块内部中电荷泵电路之间并联和串联的切换，使电路满足在高电压输出及强驱动能力的不同状态输出需求，实现了对存储器多个工作模式更好的支持。
主权项：1.一种SONOSEEPROMVPOSPUMP输出电压产生电路，其特征在于：包含：电荷泵模块，包含不少于4个的多个电荷泵电路，所述的多个电荷泵之间具有不少于3个的开关；所述的多个开关能通过外部控制信号进行选择性的开启和闭合，以改变所述的多个级联的电荷泵电路之间的连接状态，实现模块内部中电荷泵电路之间并联和串联的切换；所述的电荷泵模块包含输入端和第一输出端；第一电阻、第二电阻以及第三电阻，所述第一电阻和第二电阻、第三电阻依次串联，第一电阻和第二电阻的串联节点为第一节点，第二电阻和第三电阻的串联节点为第二节点；所述第一电阻的另一端接地；第一NMOS管与第一PMOS管，并接于所述的第一输出端与第三电阻的第一端之间；所述的第一NMOS管的栅、漏短接并与所述第一PMOS管的源极以及所述的第一输出端连接，所述第一NMOS管的源极与所述第一PMOS管的漏极以及所述第三电阻的第一端连接，形成第三节点；所述的第一PMOS管的栅极接第一控制信号RDEN；第二NMOS管及第二PMOS管，所述第二PMOS管的源极与所述第一输出端相连，所述第二PMOS管的栅极接第二控制信号TM_VTP_B，所述第二PMOS管的漏极为第二输出端；第三PMOS管的漏极及源极分别跨接于所述第三电阻的两端，即第二节点与第三节点之间，所述第三PMOS的栅极接第三控制信号RDEN_B；所述第三控制信号RDEN_B与所述第一控制信号RDEN互为相反信号；所述第二NMOS管的栅、漏短接后与所述第一输出端相连，所述第二NMOS的源极为第三输出端。
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权利要求：
百度查询： 上海华虹宏力半导体制造有限公司 SONOS EEPROM VPOS PUMP输出电压产生电路及控制方法
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