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申请/专利权人:艾沃思宾技术公司
摘要:本公开涉及低电阻MTJ反熔丝电路设计以及操作方法。本公开尤其针对反熔丝电路。所述反熔丝电路包括多个反熔丝位单元和参考电阻器。每个反熔丝位单元包括两个或更多个存储器位和参考电阻器。所述两个或更多个存储器位被配置为处于已编程状态和至少一种未编程状态。
主权项:1.一种反熔丝电路,所述反熔丝电路包括:多个反熔丝位单元,其中每个反熔丝位单元包括两个或更多个存储器位和参考电阻器,并且其中所述两个或更多个存储器位被配置为处于已编程状态和至少一种未编程状态;以及参考电阻器。
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权利要求:
百度查询: 艾沃思宾技术公司 低电阻MTJ反熔丝电路设计以及操作方法
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