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申请/专利权人：合肥艾创微电子科技有限公司
摘要：本实用新型提供一种用于提高MTBF的氮化镓高电子迁移率晶体管，包括氮化镓基片、源极区、栅极区以及漏极区，其中源极互连金属层具有顶层源极金属，所述漏极互连金属层具有顶层漏极金属，所述顶层源极金属和顶层漏极金属的头部至根部方向上的金属宽度尺寸逐渐变大。本实用新型将顶层漏极金属和源极金属的头部到根部宽度逐渐变宽，相对于等宽金属导线，在根部宽度相等的情况下，渐变金属宽度能够达到和等宽金属宽度相同的MTBF，渐变金属宽度设计相对等宽金属宽度可以设计更宽的根部金属宽度，达到更大的MTBF；同时渐变金属宽度设计可以降低器件的寄生电容。
主权项：1.一种用于提高MTBF的氮化镓高电子迁移率晶体管，其特征在于，包括：氮化镓基片10；源极区43，其形成于所述氮化镓基片10中且包含与所述氮化镓基片的一部分接触的源极欧姆金属42，该源极欧姆金属上形成有至少一层源极互连金属层；栅极区80，其形成于所述氮化镓基片中且用于分离所述源极区与漏极区；以及漏极区53，其形成于所述氮化镓基片中且包含与所述氮化镓基片的一部分接触的漏极欧姆金属52，该漏极欧姆金属上形成有至少一层漏极互连金属层；其中源极互连金属层与漏极互连金属层的层数相同；所述源极互连金属层具有顶层源极金属，所述漏极互连金属层具有顶层漏极金属，所述顶层源极金属和顶层漏极金属的头部至根部方向上的金属宽度尺寸逐渐变大。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 合肥艾创微电子科技有限公司 用于提高MTBF的氮化镓高电子迁移率晶体管
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