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申请/专利权人：深圳天狼芯半导体有限公司
摘要：本发明提供一种基于N‑BAL提高电流密度的超结肖特基二极管及制备方法，该超结肖特基二极管包括：N‑BAL层；所述N‑BAL层位于Ppillar和N+衬底之间；N‑drift层与所述N‑BAL层和所述N+衬底形成导电通道。本发明在传统的超结肖特基二极管中的Ppillar的下方引入了N‑BAL层（N型底部辅助层），使得原本从N‑drift层流向N型衬底的电流有部分通过N‑BAL层再流向N型衬底，这样能够增加电流密度，同时提高了器件耐压与导通电阻的比值，使本发明的新型结构的超结肖特基二极管能够接近甚至超越硅材料的理论值。
主权项：1.一种基于N-BAL提高电流密度的超结肖特基二极管，其特征在于，包括：N-BAL层；所述N-BAL层位于Ppillar和N+衬底之间；N-drift层与所述N-BAL层和所述N+衬底形成导电通道。
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