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摘要：本发明公开了一种采用MBE刻蚀后外延的常关型氧化镓基器件，包括：衬底；缓冲层，位于衬底上方；本征层，位于缓冲层上方；介质层，位于本征层上方；势垒层，本征层和介质层上表面的中部两端被刻蚀的位置形成第一凹槽，势垒层位于第一凹槽上方；盖帽层，本征层和介质层上表面的左右两侧被刻蚀的位置形成第二凹槽，盖帽层位于第二凹槽上方；钝化层，位于缓冲层、本征层和介质层左右两边缘被刻蚀的位置以及介质层和势垒层上方；栅电极及场板，分别位于中间的介质层以及钝化层上方；源电极，位于左侧的盖帽层上方；和漏电极，位于右侧的盖帽层上方。本发明公开了一种采用MBE刻蚀后外延的常关型氧化镓基器件的制备方法，提高器件性能和稳定性。
主权项：1.一种采用MBE刻蚀后外延的常关型氧化镓基器件，其特征在于，由下到上包括：衬底；缓冲层，位于所述衬底上方，且左右两边缘被部分刻蚀；本征层，位于所述缓冲层上方，且左右两边缘、上表面的左右两侧和上表面的中部两端被刻蚀；介质层，位于所述本征层上方，且左右两边缘、上表面的左右两侧和上表面的中部两端被刻蚀；势垒层，所述本征层和介质层上表面的中部两端被刻蚀的位置形成第一凹槽，所述势垒层位于第一凹槽上方；盖帽层，所述本征层和介质层上表面的左右两侧被刻蚀的位置形成第二凹槽，所述盖帽层位于第二凹槽上方；钝化层，位于所述缓冲层、本征层和介质层左右两边缘被刻蚀的位置以及介质层和势垒层上方；源电极，位于左侧的所述盖帽层上方；漏电极，位于右侧的所述盖帽层上方；栅电极和两场板，所述栅电极位于中间的所述介质层上方；两所述场板分别位于中间的两所述钝化层上方。
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百度查询： 厦门大学 采用MBE刻蚀后外延的常关型氧化镓基器件及制备方法
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