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申请/专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所

摘要：TDICMOS的滚动行周期的实现和检测方法，涉及TDICMOS成像技术领域，解决现有多谱段TDICMOS探测器成像时，在滚动行周期执行过程中，由于本地计时的偏差或者发送间隔的偏差，从而导致正在执行的滚动行周期被打断等问题，该检测方法通过高摄像同步性和精细像移补偿的TDICMOS的动态行周期成像系统实现；对所述成像系统的422解析及行周期处理模块采用状态机实现乒乓结构的RAM的控制以及滚动输出行周期；本发明中滚动的计时位置不采用计算的执行子时间与本地时间进行比较，而是采用本地时钟的计数器计时方式进行执行，避免由于外部输入的时间码更新而导致一秒内的连续执行过程被打断。为实现相对精确的延时，计数时会扣除状态机循环所占用的时间。

主权项：1.TDICMOS的滚动行周期的实现和检测方法，该检测方法通过高摄像同步性和精细像移补偿的TDICMOS的动态行周期成像系统实现；其特征是：对所述成像系统的422解析及行周期处理模块采用状态机实现乒乓结构的RAM的控制以及滚动输出行周期；所述乒乓结构的RAM的控制选择状态机循环实现，具体过程为：上电后，首先进入空闲等待状态s0，在s0状态，当检测到输入的启动信号ram2_renew为高电平，则进入准备选择RAM2组状态S1；当检测到输入的启动信号ram2_renew为低电平且启动信号ram3_renew为高电平，则进入准备选择RAM3组状态s2；在s1状态，当检测到ram2执行时刻满足标识信号ram2_use_mark为高电平，则进入开始执行从RAM2组中读出行周期参数的状态s3；在s3状态，设置ram2已经开始执行的状态标识信号ram2_use为高电平后，返回s0；在s2状态，当检测到ram3执行时刻满足标识信号ram3_use_mark为高电平，则进入开始执行从RAM3组中读出行周期参数的状态s4；在s4状态，设置ram3已经开始执行的状态标识信号ram3_use为高电平后，返回s0状态；输入的启动信号ram2_renew和ram3_renew为互斥的，在相同的时刻仅有一个为高电平；另外，二者的高电平是交替出现的；所述滚动输出行周期的执行状态机循环过程为：上电后，首先进入无操作的待机sa0状态，在sa0状态，当检测到当前选择执行RAM2且RAM2中存储的执行时间等于本地时间，则进入RAM2开始执行状态Sa1；当检测到当前选择执行RAM3且RAM3中存储的执行时间等于本地时间则进入RAM3开始执行状态Sa3，在sa1状态，读出RAM2中的行周期数据并执行新的行周期数据，然后进入RAM2执行次数计数状态s2a；在sa3状态，读出RAM3中的行周期数据并执行新的行周期数据，然后进入RAM3执行次数计数状态sa4；在sa2状态，执行次数加1，然后进入RAM2执行是否完备的判断状态sa0_ram2，在sa4状态，执行次数加1，然后进入RAM3执行是否完备的判断状态sa0_ram3，在sa0_ram2状态，若RAM2在1s内执行完毕，则进入sa0状态；若执行次数未完毕，则进入sa1状态；在sa0_ram3状态，若RAM3在1s内执行完毕，则进入sa0状态；若执行次数未完毕，则进入sa3状态。

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