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申请/专利权人：微芯片技术股份有限公司
摘要：本公开提供了一种包括金属‑绝缘体‑金属MIM电容器模块和薄膜电阻器TFR的集成电路结构。该MIM电容器模块包括形成在下部金属层中的底部电极基部、形成在该下部金属层与上部金属层之间的电介质区中的底部电极、形成在该底部电极上方的绝缘体以及形成在该绝缘体上方的该上部金属层中的顶部电极。该底部电极包括杯形底部电极部件和形成在由该杯形底部电极部件限定的内部开口中的底部电极填充部件。该TFR模块包括形成在该电介质区中的一对金属头部和跨该对金属头部连接的电阻器元件。每个金属头部包括杯形头部部件和形成在由该杯形头部部件限定的内部开口中的头部填充部件。
主权项：1.一种集成电路结构，包括：a金属-绝缘体-金属电容器模块，所述金属-绝缘体-金属电容器模块包括：底部电极基部，所述底部电极基部形成在下部金属层中；底部电极，所述底部电极形成在所述下部金属层与上部金属层之间的电介质区中，所述底部电极包括：杯形底部电极部件；和底部电极填充部件，所述底部电极填充部件形成在由所述杯形底部电极部件限定的内部开口中；绝缘体，所述绝缘体形成在所述底部电极上方；和顶部电极，所述顶部电极形成在所述绝缘体上方的所述上部金属层中；和b薄膜电阻器模块，所述薄膜电阻器模块包括：一对金属头部，所述一对金属头部形成在所述下部金属层与所述上部金属层之间的所述电介质区中，其中每个金属头部包括：杯形头部部件；和头部填充部件，所述头部填充部件形成在由所述杯形头部部件限定的内部开口中；和电阻器元件，所述电阻器元件跨所述一对金属头部连接。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 微芯片技术股份有限公司 包括金属-绝缘体-金属(MIM)电容器模块和薄膜电阻器(TFR)模块的集成电路结构
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