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摘要：一种用MBE横向生长纳米线的方法。本发明涉及微纳光波导领域，公开了一种半导体纳米线光波导材料的制备方法。本发明提供的纳米线横向生长方法包括：衬底表面氧化层去除、衬底表面台阶制备、台阶衬底表面热氧化形成氧化层、台阶侧壁圆形窗口制备、台阶下低平面上沟槽制备、处理后的衬底表面清洗、处理后的衬底在分子束外延设备中横向生长纳米线。本发明利用侧壁圆形窗口、低平面上沟槽结合金属液滴引导纳米线横向生长，有效解决现阶段制备纳米线的方法中无法实现纳米线横向生长的问题，获得晶体质量好的横向纳米线材料。
主权项：1.一种用MBE横向生长纳米线的方法，其特征在于：包括：对用于生长纳米线材料的衬底表面去除氧化层处理；对衬底表面光刻、刻蚀形成台阶；对形成台阶的衬底表面进行氧化形成表面氧化层；对台阶侧壁的氧化层进行刻蚀形成圆形窗口，对与台阶垂直且较低的表面上氧化层进行部分刻蚀形成沟槽，侧壁圆形窗口与所述沟槽一一对应；所处理的衬底表面在清洗后装载于分子束外延设备中，并经过表面水汽及杂质去除处理后，在分子束外延设备的生长室中，首先在III族束流气氛中保持5秒到10秒，在台阶侧壁圆形窗口中形成金属液滴，然后打开生长纳米线所用材料的源炉挡板，在侧壁圆形窗口中金属液滴及沟槽的引导下开始纳米线材料的横向生长。
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百度查询： 长春理工大学 一种用MBE横向生长纳米线的方法
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