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申请/专利权人：河北工业大学
摘要：本发明为一种化学气相沉积法制备少层大面积石墨烯及其转移的方法。该方法包括如下步骤：管式炉中放入铜箔，在混合气氛下，将温度升高到1100℃～1200℃下退火，并保持温度退火30～40min，使铜箔为熔融态；保持气氛和温度下，向管式炉通入CH4气体10～90min；然后将CH4气体关闭，自然冷却至室温，在铜箔衬底上可获得的少层石墨烯薄膜。本发明制备得到的石墨烯单晶，并由拉曼光谱测得几乎无缺陷峰，证明生长的石墨烯具有较高的结晶质量和较高的应用价值。
主权项：1.一种化学气相沉积法制备少层大面积石墨烯的方法，其特征为该方法包括如下步骤：S1、将铜箔和钨箔分别在丙酮、乙醇和去离子水中超声清洗10～20min，然后用氮气吹干；S2、将铜箔放置在钨箔上，并将两者放入石英舟中，推入管式炉内加热区域，并抽真空至9～8.5E-1Pa；S3、在混合气氛下，将温度升高到1100℃～1200℃下退火，并保持温度退火30～40min；S4、保持上一步的气氛和温度下，向管式炉通入CH4气体10～90min；然后将CH4气体关闭，自然冷却至室温，在铜箔衬底上获得的少层石墨烯薄膜。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 河北工业大学 化学气相沉积法制备少层大面积石墨烯及其转移的方法
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