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申请/专利权人：湘潭大学
摘要：本发明公开了一种大面积双层3R相MX2纳米片的制备方法。本发明基于空间限域与前驱体设计策略的化学气相沉积法可以实现大面积双层3R相MX2纳米片的可控制备；将三氧化钼箔或者三氧化钨箔盖在玻璃基底上方作为前驱体，硫粉或硒粉放置在加热中心上游低温区域。通过调节限域空间的高度构建可控的微型反应空间，空间限域策略一方面可以提供均匀的反应前驱体供给并有效调控前驱体浓度，同时可以确保反应过程中限域空间为稳定的平流环境。待化学气相沉积系统升温至指定温度后，前驱体被输运至衬底上；调控生长参数，成功实现大面积双层3R相MX2纳米片的制备；且依据本发明的方法，可实现大面积双层3R相MX2纳米片的工业化生产。
主权项：1.一种大面积双层3R相MX2纳米片的制备方法，其中，M为Mo或W，X为S或Se，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：（1）将金属钼箔放置在管式炉加热区中心，升高温度至450-500℃，在空气氛围中氧化得到三氧化钼箔，或将金属钨箔放置在管式炉加热区中心，升高温度至550-600℃，在空气氛围中氧化得到三氧化钨箔；（2）将玻璃基底置于管式炉的加热中心，按照气流由上游至下游的顺序，依次放置装有硫粉或硒粉的氧化铝舟与三氧化钼箔或三氧化钨箔，三氧化钼箔或三氧化钨箔与玻璃基底是按以下方法放置的：将一块玻璃基底面朝上放在管式炉中心区域，再将三氧化钼箔或三氧化钨箔面对面盖在上面，形成一种微反应空间；（3）向管式炉的反应腔内通入20-40分钟的载气，对反应腔进行清洗；（4）继续在载气氛围下，升高管式炉的温度，使硫粉的温度至280-350℃或使硒粉的温度至350-400℃、三氧化钼箔的温度至480-490℃或三氧化钨箔的温度至780-800℃，进行双层3R相MX2纳米片的生长，硫粉或硒粉的量为200~320mg，硫粉或硒粉与三氧化钼箔或三氧化钨箔的距离为24~26cm；（5）生长结束后，温度自然冷却降至室温，关闭载气，得到双层3R相MX2纳米片的样品。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 湘潭大学 一种大面积双层3R相MX2纳米片的制备方法
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